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一种功率MOSFET的沟槽终端结构制造技术
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下载一种功率MOSFET的沟槽终端结构的技术资料
文档序号:9308240
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一种功率MOSFET的沟槽终端结构,包括衬底和位于衬底上的外延层,包括如下全部特征:所述外延层上具有第一沟槽和第二沟槽;在沟槽内有栅氧化层;所述第一沟槽内部有多晶硅形成的栅电极;所述第二沟槽内部有多晶硅形成的悬浮场板;在第一沟槽和第二沟槽之...
该专利属于成都瑞芯电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都瑞芯电子有限公司授权不得商用。
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