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一种功率MOSFET的沟槽终端结构，包括衬底和位于衬底上的外延层，包括如下全部特征：所述外延层上具有第一沟槽和第二沟槽；在沟槽内有栅氧化层；所述第一沟槽内部有多晶硅形成的栅电极；所述第二沟槽内部有多晶硅形成的悬浮场板；在第一沟槽和第二沟槽之...
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