一种具有超陡亚阈值斜率的阻变场效应晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种具有超陡亚阈值斜率的阻变场效应晶体管，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该阻变场效应晶体管包括一个控制栅电极层、一个栅介质层、一个半导体衬底、一个源掺杂区和一个漏掺杂区，控制栅采用栅叠层结构，其依次为底层——底电极层，中间层——阻变材料层和顶层——顶电极层。本发明专利技术与现有的突破传统亚阈值斜率极限的方法相比，该器件有较大的导通电流、较低的工作电压以及较好的亚阈特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领 域，具体涉及一种具有超陡亚阈值斜率(Subthreshold Slope)的阻变场效应晶体管 (Resistive Field Effecttransistor，简称 ReFET)及其制备方法。
技术介绍
随着金属-氧化物-硅场效应晶体管(MOSFET)的尺寸不断缩小，尤其是当器件的 特征尺寸进入纳米尺度以后，器件的短沟道效应等的负面影响愈加明显。漏致势垒降低效 应(DIBL)、带带隧穿效应使得器件关态漏泄电流不断增大，伴随着器件阈值电压降低，增大 了集成电路的功耗。且传统MOSFET器件的亚阈区电流导通由于受扩散机制的限制，其亚阈 值斜率在常温下的极限值被限制在60mv/dec，导致亚阈值漏泄电流随着阈值电压的降低也 在不断地升高。为了克服纳米尺度下MOSFET面临的越来越多的挑战，为了能将器件应用在 超低压低功耗领域，采用新型导通机制而获得超陡亚阈值斜率的器件结构和工艺制备方法 已经成为小尺寸器件下大家关注的焦点。针对MOSFET亚阈值斜率有60mv/deC的理论极限的问题，近些年来研究者们提出 了本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种阻变场效应晶体管，其特征在于，包括一个控制栅电极层、一个栅介质层、一个半导体衬底、一个源掺杂区和一个漏掺杂区，控制栅采用栅叠层结构，其依次为底层——底电极层，中间层——阻变材料层和顶层——顶电极层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄芊芊，詹瞻，黄如，王阳元，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11