一种GaN基隧穿FinFET器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种GaN基隧穿FinFET器件及其制造方法，器件包括：衬底、叠层、栅绝缘介质层以及栅金属层，叠层包括GaN层、XN层、源极金属层，XN层上方设有漏极金属层，制造方法步骤为：原始材料为具有XN/GaN外延层的晶圆片；制备器件的Fin结构随后进行表面处理；制备漏极金属层；制备源极金属层；制备栅绝缘介质层和源漏区表面钝化层；制备栅金属层；本发明专利技术所提供的栅控隧穿增强型GaN基FinFET中栅电极对导电沟道具有更好的调控能力，具备较好的scaling down的能力且不会牺牲器件的性能；器件具有更低的关态漏电和更高的反向击穿电压，可用于高压领域，同时具有TFET和FinFET特性，具有较高的开关速度、较小的亚阈值斜率和较大的导通/关断电流比。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种GaN基隧穿FinFET器件，其特征在于，包括：底部的衬底，衬底上方的叠层，包覆叠层顶部和两侧的栅绝缘介质层以及栅绝缘介质层外部的栅金属层，所述叠层包括GaN层、GaN层上方的XN层、XN层上方器件源端的源极金属层，所述XN层上方在器件漏端设有漏极金属层，其中X代表所有Ⅲ族元素或其任意组合，所述源极金属层和XN层是肖特基接触，所述漏极金属层和XN层是欧姆接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周琦，张安邦，陈博文，靳旸，施媛媛，王泽恒，李建，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51