一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源制造技术

本发明专利技术公布了一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源，包括启动电路、PTAT产生电路、CTAT产生电路、第一基准产生电路、第二基准产生电路、以及三个关断控制电路。本发明专利技术只包含NMOS管,PMOS管和电阻，没有三极管，电路结构和制备工艺都相对简单；第一基准产生电路和第二基准产生电路输出的基准用于分别保护芯片比较器关于过充电，过放电，过电流的保护基准，其温度系数低、功耗低；适用于CMOS工艺实现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电池保护芯片CMOS基准源，具体是指一种适用于两节锂电池保 护芯片CMOS基准源。
技术介绍
在模拟，数模混合，数字电路中都经常会用到基准源电路。基准源电路的稳定性直 接关系到整个电路的性能。低功耗、高精度、小型化是当今电池管理芯片的发展趋势，更是 满足应用的必然要求，研究电池管理芯片的低功耗有重要的实用价值。传统的基准设计采 用基于双极性晶体管带隙基准暴露出两个缺点占用芯片面积很大，不利于降低成本；双 极性晶体管的模型参数很难精确提取。另外传统的模拟电路中，MOS管工作在强反型区也 意味着需要更多的功耗，在低功耗设计中可以将工作区域进行拓展，以求得功耗和面积之 间的平衡。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源，用于保护 芯片比较器关于过充电，过放电，过电流的保护基准，实现低温度系数、低功耗。本专利技术的目的通过下述技术方案实现本专利技术一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源，包括依次连接在Vdd电源和Vss 接地之间的启动电路、PTAT产生电路、CTAT产生电路、第一基准产生电路、第二基准产生 电路，所述的PTAT产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种适用于两节锂电池保护芯片ＣＭＯＳ基准源，其特征在于：包括依次连接在ＶＤＤ电源和ＶＳＳ接地之间的启动电路（１）、ＰＴＡＴ产生电路（２）、ＣＴＡＴ产生电路（３）、第一基准产生电路（４）、第二基准产生电路（５），所述的ＰＴＡＴ产生电路（２）还分别与第一基准产生电路（４）、第二基准产生电路（５）连接，所述的ＣＴＡＴ产生电路（３）还与第二基准产生电路（５）连接，还包括分别与启动电路（１）、ＰＴＡＴ产生电路（２）连接的第一关断控制电路（７），分别与ＣＴＡＴ产生电路（３）、第一基准产生电路（４）、第二基准产生电路（５）连接的第二关断控制电路（８），在所述第二基准产生电路（５）上连接有第三关断控制电路...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨跃，林秀龙，宋勇，
申请(专利权)人：成都瑞芯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：90