制造双栅极装置的结构和方法制造方法及图纸

将第一多晶硅（多晶硅-1）沉积到已经在基板中形成的深沟槽中。执行第一多晶硅抛光处理以平坦化多晶硅-1的暴露的表面使得该表面与相邻表面齐平。然后，在深沟槽之间的基板中形成浅沟槽，并将第二多晶硅（多晶硅-2）沉积到这些浅沟槽中。执行第二多晶硅抛光处理以平坦化多晶硅-2的暴露的表面使得该表面与相邻表面齐平。然后，形成与多晶硅-1以及多晶硅-2的金属触点。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请本申请要求提交于2010年3月2日的第61/309，824序列号，专利技术名称为“Structures and Methods of Fabricating Dual Gate MIS Devices” 的美国临时专利申请的优先权，在此结合其全文作为参考。
技术介绍
为节约电力，降低晶体管中的电力损耗(power loss)十分重要。在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)装置中，可通过减小装置的漏极到源极导通电阻来降低电力损耗。为了在MOS装置中实现高击穿电压，可增大外延(epi )层和/或电阻率，但这可能对导通电阻造成不利影响。为了减轻该问题，可引入与该装置关断时的电流的方向垂直的已调电场。在漂移区中的已调电场提高了击穿电压，并且相对于更传统的MOS装置对于给定击穿电压允许有更高的掺杂浓度。生成这样的电场的一种方法是沿漂移区的侧面包括“分开的栅极(split gate)”。在分栅式结构中，MOS结构(例如，沟槽)沿漂移区的侧面生成。与源极相连的屏蔽多晶硅(poly)区被置于沟槽内的栅极多晶硅下方，并且该栅极结构建造在沟槽顶部上。分栅式结构提供了许多优点，包括更好的开关电压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：K特里尔，白玉明，DN帕塔纳雅克，罗志云，
申请(专利权)人：维西埃硅化物公司，
类型：
国别省市：