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将第一多晶硅（多晶硅-1）沉积到已经在基板中形成的深沟槽中。执行第一多晶硅抛光处理以平坦化多晶硅-1的暴露的表面使得该表面与相邻表面齐平。然后，在深沟槽之间的基板中形成浅沟槽，并将第二多晶硅（多晶硅-2）沉积到这些浅沟槽中。执行第二多晶硅抛...
该专利属于维西埃-硅化物公司所有，仅供学习研究参考，未经过维西埃-硅化物公司授权不得商用。

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