【技术实现步骤摘要】
本技术属于发光二极管领域，具体涉及一种新型的GaN基绿光发光二极管器件。
技术介绍
当前II1-V族氮化物LED具有节能、环保，以及光源寿命长、体积小等优点被广泛应用到通用照明和显示领域。大部分的户外商业显示产品是通过红绿蓝三色LED来实现全彩效果。随着技术的进步，红光和蓝光的外量子效率分别达到了 50%和60%以上，而绿光只能到30%左右。这一点决定了绿光LED目前成为LED应用尤其是在显示领域的瓶颈。因此，绿光LED外延和芯片的研究获得了人们的广泛关注。虽同为氮化镓类材料，高铟组分的绿光LED比蓝光LED的多量子阱的InGaN/GaN晶格失配造成的形变更严重，制作难度更大。不稳定的多量子阱结构在生长过程中容易造成应力释放形成更多的漏电缺陷导致发光效率下降和反向漏电。绿光多量子阱结构的稳定性与所采用的器件结构有很大关系。目前氮化镓基发光二极管的常规结构如图1所示包括衬底4、第一种N型半导体层1，控制发光波长的多量子阱层2，第二种P型半导体层3。多量子阱结构为InGaN/G aN的多周期循环结构，其中衬底为小倾角衬底，S卩外延生长方向与C面的法线方向倾斜0-0....
【技术保护点】
一种新型的GaN基绿光发光二极管器件，其特征在于：所述的发光二极管器件结构包括依次层叠的倾角衬底、第一种半导体载流子注入层、多量子阱结构、第二种半导体载流子注入层，倾角衬底为衬底生长窗口表面与外延材料晶格取向面倾斜为0.25?0.55°形成。
【技术特征摘要】
1.一种新型的GaN基绿光发光二极管器件，其特征在于所述的发光二极管器件结构包括依次层叠的倾角衬底、第一种半导体载流子注入层...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝锐，马学进，吴质朴，
申请(专利权)人：江门市奥伦德光电有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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