半导体发光元件制造方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体发光元件制造方法。所述制造方法包括：提供一具有多个透明突起的第一衬底；在所述第一衬底上沉积半导体材料层；在所述半导体材料层上贴付第二衬底；通过机械磨削和刻蚀方法中至少一种方法减薄所述第一衬底，直至露出半导体材料层，并至少保留所述透明突起的一部分；在所述经过减薄所述第一衬底得到的表面上形成电极焊盘。本发明专利技术的制造方法可以提高所述半导体发光元件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件制造方法，特别是一种。
技术介绍
自氮化镓(GaN)基第三代半导体材料的兴起，蓝光发光二极管(LED)外延结构研制成功，发光二极管芯片的发光强度和白光发光效率不断提高。半导体发光元件被认为是下一代进入通用照明领域的新型光源，因此得到广泛关注。现有技术的氮化镓基发光二极管的制造工艺中，通常使用蓝宝石衬底作为氮化镓材料的沉积过程中的衬底。然而随着发光二极管芯片发光功率的不断提高，其发光区对散热的要求也不断提高，但蓝宝石衬底的导热率是较低的，因此随着发光二极管芯片发光功率的提高，要求将蓝宝石衬底从氮化镓外延层上剥离。现有技术提出了采用激光剥离法(LLO)等方法将蓝宝石衬底从外延层上剥离，但现有技术中，应用采用激光剥离技术剥离蓝宝石衬底的方法存在只适用于沉积外延层的表面为平面蓝宝石衬底；而且，激光剥离技术的工艺过程复杂，应用激光剥离技术生产出的LED芯片容易引起LED芯片漏电因而发光效率较低，可靠性也降低。为避免因应用激光剥离技术生产LED芯片而产生的LED芯片漏电问题，现有技术中也提出了，采用机械研磨的方法将蓝宝石衬底从氮化镓外延层上剥离。现有技术采用机械研磨本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件制造方法，所述制造方法包括：提供一上侧具有多个透明突起的第一衬底；在所述第一衬底上侧沉积半导体材料层；在所述半导体材料层上贴付第二衬底；减薄所述第一衬底，直至露出所述半导体材料层，并至少保留所述透明突起的一部分；在所述通过减薄所述第一衬底得到的表面上形成电极焊盘。

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光元件制造方法，所述制造方法包括: 提供一上侧具有多个透明突起的第一衬底； 在所述第一衬底上侧沉积半导体材料层； 在所述半导体材料层上贴付第二衬底； 减薄所述第一衬底，直至露出所述半导体材料层，并至少保留所述透明突起的一部分； 在所述通过减薄所述第一衬底得到的表面上形成电极焊盘。2.如权利要求1所述的半导体发光元件制造方法，其特征在于:所述减薄所述衬底的方法包括机械磨削、抛光、腐蚀和刻蚀方法中至少一种方法。3.如权利要求1所述的半导体发光元件制造方法，其特征在于:所述半导体材料层包括缓冲层和II1-V族化合物外延层，所述在所述第一衬底上沉积半导体材料层的步骤包括，在所述第一衬底上依次沉积所述缓冲层与所述II1-V族化合物外延层。4.如权利要求3所述的半导体发光元件制造方法，其特征在于:所述缓冲层为掺杂半导体层，其导电类型与所述II1-V族化合物外延层紧邻所述缓冲层的部分的导电类型相同。5.如权利要求3所述的半导体发光元件制造方法，其特征在于:所述缓冲层为掺杂半导体层，所述II1-V族化合物外延层包括依次沉积于所述缓冲层上的第一半导体层、量子阱层和第二半导体层，所述缓冲层的导电类型与第一半导体层的导电类型相同。6.如权利要求3所述 的半导体发光元件制造方法，其特征在于:所述缓冲层为氮化镓铟、氮化铝镓铟、氧化锌、氮化铝或氮化镓材料层。7.如权利要求6所述的半导体发光元件制造方法，其特征在于:所述II1-V族化合物外延层为氮化镓基外延层。8.如权利要求1所述的半导体发光元件制造方法，其特征在于:所述第一衬底为图形化衬底。9.如权利要求8所述的半导体发光元件制造方法，其特征在于:所述第一衬底为蓝宝石衬底或碳化硅衬底。10.如权利要求1所述的半导体发光元件制造方法，其特征在于:所述提供一具有多个透明突起的第一衬底的步骤包括:提供一本体；在所述本体上形成一层透明材料层，蚀刻所述透明材料层形成所述多个透明突起。11.如权利要求10所述的半导体发光元件制造方法，其特征在于:所述本体的材质为蓝宝石、碳化硅或硅衬底。12.如权利要求1所述的半导体发光元件制造方法，其特征在于:所述减薄所述第一衬底，直至露出半导体材料层，并至少保留...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁秉文，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：