衬底、衬底的制作方法和使用方法技术

本发明专利技术实施例提供一种衬底、衬底的制作方法和使用方法，所述衬底的被动面形成有预切割通道，在形成LED器件或集成电路器件的过程中，所述预切割通道可以将衬底上的应力释放，从而减小或消除衬底上的应力，有利于提高LED器件的良率。并且上述形成有预切割通道的衬底在LED器件或集成电路器件形成后，可以直接进行裂片，无需进行减薄、切割步骤，从而减少工艺步骤，简化工艺流程，提高LED器件的成品率、提高LED器件的产量，降低LED器件的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路或LED器件制造工艺领域，特别涉及用于制作集成电路器件或LED器件的。
技术介绍
发光二极管(LED，Light Emitting Diode)是能够将电能转换为可见光的光电器件。现有的利用氮化镓为代表的II1-V族化合物半导体由于具有带隙宽、发光效率高、电子饱和漂移速度高、化学性质稳定等特点在高亮度蓝、绿光发光二极管等光电器件领域具有巨大的应用潜力，引起了人们的广泛关注。现有技术通常是在衬底(材质可以为蓝宝石等)上采用气相沉积的方法形成发光层，然后通过减薄、切割、裂片等多个工艺步骤，将蓝宝石衬底分为多个LED器件(也称为芯片单元，die)。在申请号为201010620248.X的中国专利申请中可以发现更多关于现有的LED芯片及其制作方法的信息。在实际中，发现形成有发光层的衬底经过减薄、切割和裂片后获得的LED器件的成品率(yield)较低，高质量LED器件的产量较少，成本较高。
技术实现思路
本专利技术实施例解决的问题是提供了一种，所述衬底的被动面形成有预切割通道，在形成LED器件或集成电路器件的过程中，所述预切割通道可以将衬底上的应力释放，从而减小或消除衬底上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底，其特征在于，所述衬底具有相对设置的主动面和被动面，所述主动面用于形成LED器件或集成电路器件，所述被动面具有多条预切割通道，所述预切割通道用于在形成所述LED器件或集成电路器件的工艺过程中释放所述衬底上的应力，所述预切割通道的位置与即将形成的LED器件或集成电路器件的位置对应。

【技术特征摘要】
1.一种衬底，其特征在于，所述衬底具有相对设置的主动面和被动面，所述主动面用于形成LED器件或集成电路器件，所述被动面具有多条预切割通道，所述预切割通道用于在形成所述LED器件或集成电路器件的工艺过程中释放所述衬底上的应力，所述预切割通道的位置与即将形成的LED器件或集成电路器件的位置对应。2.如权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述预切割通道的深度范围为所述衬底厚度 1/4 7/8。3.如权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述衬底的材质为蓝宝石、ZnO,SiC、硅、玻璃中的一种或者其中的组合。4.如权利要求1所述的衬底的制作方法，其特征在于，包括:提供初始衬底，所述初始衬底具有相对设置的主动面和被动面，所述主动面用于形成LED器件或集成电路器件，所述被动面...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁秉文，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
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