衬底、衬底的制作方法和使用方法技术

本发明专利技术实施例提供一种衬底、衬底的制作方法和使用方法，所述衬底的被动面形成有预切割通道，在形成LED器件或集成电路器件的过程中，所述预切割通道可以将衬底上的应力释放，从而减小或消除衬底上的应力，有利于提高LED器件的良率。并且上述形成有预切割通道的衬底在LED器件或集成电路器件形成后，可以直接进行裂片，无需进行减薄、切割步骤，从而减少工艺步骤，简化工艺流程，提高LED器件的成品率、提高LED器件的产量，降低LED器件的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路或LED器件制造工艺领域，特别涉及用于制作集成电路器件或LED器件的。
技术介绍
发光二极管(LED，Light Emitting Diode)是能够将电能转换为可见光的光电器件。现有的利用氮化镓为代表的II1-V族化合物半导体由于具有带隙宽、发光效率高、电子饱和漂移速度高、化学性质稳定等特点在高亮度蓝、绿光发光二极管等光电器件领域具有巨大的应用潜力，引起了人们的广泛关注。现有技术通常是在衬底(材质可以为蓝宝石等)上采用气相沉积的方法形成发光层，然后通过减薄、切割、裂片等多个工艺步骤，将蓝宝石衬底分为多个LED器件(也称为芯片单元，die)。在申请号为201010620248.X的中国专利申请中可以发现更多关于现有的LED芯片及其制作方法的信息。在实际中，发现形成有发光层的衬底经过减薄、切割和裂片后获得的LED器件的成品率(yield)较低，高质量LED器件的产量较少，成本较高。
技术实现思路
本专利技术实施例解决的问题是提供了一种，所述衬底的被动面形成有预切割通道，在形成LED器件或集成电路器件的过程中，所述预切割通道可以将衬底上的应力释放，从而减小或消除衬底上的应力，有利于提高LED器件的良率。并且上述形成有预切割通道的衬底在LED器件或集成电路器件形成后，可以直接进行裂片，无需进行减薄、切割步骤，从而减少工艺步骤，简化工艺流程，提高LED器件的成品率、提高LED器件的产量，降低LED器件的成本。为解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种衬底，所述衬底具有相对设置的主动面和被动面，所述主动面用于形成LED器件或集成电路器件，所述被动面具有多条预切割通道，所述预切割通道用于在形成所述LED器件或集成电路器件的工艺过程中释放所述衬底上的应力，所述预切割通道的位置与即将形成的LED器件或集成电路器件的位置对应。可选地，所述预切割通道的深度范围为所述衬底厚度1/4 7/8。可选地，所述衬底的材质为蓝宝石、ZnO、SiC、硅、玻璃中的一种或者其中的组合。相应地，本专利技术还提供一种衬底的制作方法，包括:提供初始衬底，所述初始衬底具有相对设置的主动面和被动面，所述主动面用于形成LED器件或集成电路器件，所述被动面用于形成预切割通道；在形成所述LED器件或集成电路器件之前，在所述初始衬底的被动面形成预切割通道。可选地，所述预切割通道的深度范围为所述初始衬底的厚度的1/4 7/8。可选地，所述预切割通道的制作方法包括:刻蚀、机械划片、激光切割中的一种或多种。可选地，在所述预切割通道形成之后、形成所述LED器件或集成电路器件之前，还包括:对所述衬底的被动面和预切割通道进行清洁的步骤。相应地，本专利技术还提供一种衬底的使用方法，在所述主动面形成LED器件或集成电路器件后，沿所述预切割通道进行裂片步骤，将所述衬底分为多个LED器件或集成电路器件。与现有技术相比，本专利技术实施例具有以下优点:本专利技术实施例所述衬底具有相对设置的主动面和被动面，所述主动面用于形成LED器件或集成电路器件，所述被动面具有多条预切割通道，所述预切割通道用于在形成所述LED器件或集成电路器件的工艺过程中释放所述衬底上的应力，所述预切割通道的位置与即将形成的LED器件或集成电路器件的位置对应，在LED器件或集成电路器件形成后，无需进行减薄、切割步骤，而可以直接沿所述预切割通道进行裂片即可以将衬底分为多个LED器件或半导体器件，从而减小对LED器件或集成电路器件的损伤，提高LED芯片切割后的成品率、提高LED器件或集成电路器件的产量，降低LED器件或集成电路器件的成本；进一步优化地，在预切割通道形成后，对衬底的被动面和预切割通道进行清洗，以减少预切割通道形成过程中在衬底的被动面和预切割通道中造成的污染，提高LED器件或集成电路器件的良率。附图说明图1是本专利技术的衬底的被动面的结构示意图。具体实施例方式现有的衬底在气相沉积工艺后的减薄切割过程切割会对LED器件或集成电路器件造成损伤，使得LED器件或集成电路器件的良率较低。经过研究发现，由于衬底本身材质硬度较大(通常为蓝宝石、碳化硅等材质)，在减薄切割的过程中，衬底容易破裂，LED器件容易受到损伤。并且由于衬底在形成LED器件或集成电路器件的过程中沉积薄膜的工艺(比如形成GaN薄膜的MOCVD工艺)等在衬底上形成了应力，该应力使得衬底在形成切割沟槽的过程中更加容易破裂，不仅会造成大量的LED器件报废，降低了 LED器件或集成电路器件的良率，也提高了 LED器件或集成电路器件的成本。为了解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种衬底，所述衬底具有相对设置的主动面和被动面，所述主动面用于形成LED器件或集成电路器件，所述被动面具有多条沿二维方向排布的预切割通道，所述预切割通道用于在形成所述LED器件或集成电路器件的工艺过程中释放所述衬底上的应力，所述预切割通道的位置与即将形成的LED器件或集成电路器件的位置对应。具体地，请参考图1所示的本专利技术一个实施例的衬底的被动面的结构示意图。衬底10的被动面上形成多条预切割通道101。作为一个实施例，一部分预切割通道沿图中X方向平行排布，另一部分预切割通道沿图中Y方向(所述Y方向垂直于X方向)平行排布。所述预切割通道将衬底10的被动面分为多个区域，每个区域对应的衬底用于形成LED器件或集成电路器件。所述预切割通道101的深度范围为所述衬底10的厚度的1/4 7/8，例如，所述预切割通道101的厚度范围可以为衬底10的厚度的1/4、1/2、2/3、7/8等，具体的数值本领域技术人员可以根据衬底10的尺寸、以及LED器件或集成电路器件的尺寸进行具体的设置。所述预切割通道101的位置应与要形成的LED器件或集成电路器件的位置对应。所述衬底10的材质可以为蓝宝石、ZnO、SiC、Si或玻璃中的一种或多种。上述衬底形成后，可以用于LED器件或集成电路器件的制作工艺，由于衬底上形成了预切割通道，对于LED器件或集成电路器件制造厂而言，只要购买上述衬底，进行LED器件或集成电路的制造，然后直接进行裂片工艺，无需购买减薄、切割等工艺设备，不仅节约了工艺步骤，也减少了设备投资，降低了 LED器件的成本。由于预切割通道可以释放LED器件或集成电路器件制作过程中在衬底上形成应力，从而提高了 LED器件的良率。相应地，本专利技术还提供一种衬底的制作方法，包括:提供初始衬底，所述初始衬底具有相对设置的主动面和被动面，所述主动面用于形成LED器件或集成电路器件，所述被动面用于形成预切割通道；在形成所述LED器件或集成电路器件之前，在所述初始衬底的被动面形成预切割通道。本专利技术实施例所述的初始衬底的材质可以为蓝宝石、氮化硅或ZnO等材质，也可以为硅、锗等材质。所述初始衬底的尺寸与现有技术相同。作为一个实施例，所述预切割通道的深度范围为所述初始衬底的厚度的1/4 7/8。所述预切割通道的制作方法包括:刻蚀、机械划片、激光切割中的一种或多种。作为一个实施例，所述预切割通道的制作方法为干法刻蚀方法，所述干法刻蚀可以为ICP或RIE工艺，采用的刻蚀气体可以为氯气、CHCl2, CHCl3中的一种或其混合，当然，采用的气体也可以为其他的含氯等离子体的气体。所述机械划片或激光切割的方法与现有技术相同，作为本来能够与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底，其特征在于，所述衬底具有相对设置的主动面和被动面，所述主动面用于形成LED器件或集成电路器件，所述被动面具有多条预切割通道，所述预切割通道用于在形成所述LED器件或集成电路器件的工艺过程中释放所述衬底上的应力，所述预切割通道的位置与即将形成的LED器件或集成电路器件的位置对应。

【技术特征摘要】
1.一种衬底，其特征在于，所述衬底具有相对设置的主动面和被动面，所述主动面用于形成LED器件或集成电路器件，所述被动面具有多条预切割通道，所述预切割通道用于在形成所述LED器件或集成电路器件的工艺过程中释放所述衬底上的应力，所述预切割通道的位置与即将形成的LED器件或集成电路器件的位置对应。2.如权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述预切割通道的深度范围为所述衬底厚度 1/4 7/8。3.如权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述衬底的材质为蓝宝石、ZnO,SiC、硅、玻璃中的一种或者其中的组合。4.如权利要求1所述的衬底的制作方法，其特征在于，包括:提供初始衬底，所述初始衬底具有相对设置的主动面和被动面，所述主动面用于形成LED器件或集成电路器件，所述被动面...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁秉文，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：