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本发明涉及一种发光二极管的外延结构及制造其光栅层的方法，其在LED外延结构的p型半导体层的顶部沉积一层带有密集孔洞的光栅层，且所述光栅层的制造方法包括：在500℃～700℃温度下沉积一层高掺铟的InGaN层，沉积后相邻的铟元素形成铟团簇；在...
该专利属于武汉迪源光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉迪源光电科技有限公司授权不得商用。

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