一种纳米银圆环局域表面等离激元增强型发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及纳米银圆环局域表面等离激元增强型发光二极管,同时还涉及其制备方法，属于纳米光电子器件材料技术领域。该二极管包括P型硅基底，P型硅基底上的纳米银圆环；沉积在纳米银圆环覆盖P型硅基底的掺氧a-SiNx:O薄膜发光有源层；掺氧a-SiNx:H发光有源层上蒸发金属电极,留出窗口。本发明专利技术使发光有源层和纳米金属圆环的有机结合，可以切实实现硅基局域表面等离激元增强的可控波长的发光二极管的制备。

【技术实现步骤摘要】

专利技术涉及一种硅基发光二极管，尤其是一种应用纳米银圆环局域表面等离激元增强发光效率的硅基可控波长发光二极管，同时还涉及其制备方法，属于纳米光电子器件材料

技术介绍
提闻娃基光源的光发射效率是目如实现单片娃基光电集成的瓶颈。理论研究表明，通过纳米金属的局域表面等离激元来提高硅基发光器件的内量子效率有可能成为解决这一问题的有效途径。近年来，纳米金属局域表面等离激元在增强硅基发光器件的发光效率方面取得了突破性的进展，2008年韩国Seone-Ju Park小组报道了利用纳米银颗粒的局域表面等离激元增强硅量子点发光二极管，在这个结构中，金属颗粒层被置于发光层与衬底之间，Si量子点和局域表面等离子激元间的耦合增强了辐射复合几率[1]，该研究小组又将类似的结构应用到了 InGaN/GaN量子阱发光二极管中，使发光二极管的输出功率提高了32%[2]。据申请人了解，到目前为止，国际上研究小组主要采用纳米金属颗粒的局域表面等离激元来增强的硅基发光二级管的发光效率，但应用纳米银圆环的表面等离激元来增强娃基发光二极管至今未见报道。
技术实现思路
本专利技术的目的在于:提出一种在室温下应用纳米银圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米银圆环局域表面等离激元增强型发光二极管，包括P型硅基底，其特征在于：所述P型硅基底上分布纳米银圆环阵列；所述纳米银圆环阵列被P型硅基底上沉积掺氧的a?SiNx:O薄膜发光有源层覆盖；所述a?SiNx:H薄膜发光有源层上淀积留出窗口的电极。

【技术特征摘要】
1.一种纳米银圆环局域表面等离激元增强型发光二极管，包括P型硅基底，其特征在于:所述P型硅基底上分布纳米银圆环阵列；所述纳米银圆环阵列被P型硅基底上沉积掺氧的a-SiNx: O薄膜发光有源层覆盖；所述a-SiNx: H薄膜发光有源层上淀积留出窗口的电极。2.根据权利要求1所述的纳米银圆环局域表面等离激元增强型发光二极管，其特征在于:所述a-SiNx:O薄膜的厚度为80-150纳米。3.—种纳米银圆环局域表面等离激元增强型发光二极管的制备方法，其特征在于包括以下步骤: 步骤一、构筑纳米银圆环 第一步、在P型硅基底上铺设PS纳米球的单层膜小球； 第二步、在铺设有PS纳米球的P型硅衬底上沉积纳米银薄膜； 第三步、控制P型硅衬底的温度在50-80°C，控制纳米银的沉积速率为0.1-0.3纳米/秒，使纳米银颗粒围绕PS纳米球的环型周边连续分布； 第四步、将上述四周被纳米银包围的PS纳米球浸泡在二氯甲烷中，再经过丙酮和酒精的...

【专利技术属性】
技术研发人员：马忠元，徐岭，倪小东，江小帆，杨华烽，史勇，任圣，张小伟，李伟，徐骏，陈坤基，冯端，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：