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本发明涉及纳米银圆环局域表面等离激元增强型发光二极管,同时还涉及其制备方法，属于纳米光电子器件材料技术领域。该二极管包括P型硅基底，P型硅基底上的纳米银圆环；沉积在纳米银圆环覆盖P型硅基底的掺氧a-SiNx:O薄膜发光有源层；掺氧a-SiN...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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