发光器件制造技术

本发明专利技术公开了发光器件。所述发光器件包括：包括多个发光区域的发光结构，所述多个发光区域包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；设置在其中一个发光区域中的第一半导体层上的第一电极单元；设置在另一个发光区域中的第二半导体层上的第二电极单元；设置在至少又一个发光区域中的第二半导体层上的中间焊垫；以及用于依次串联连接发光区域的至少一个连接电极，其中串联连接的发光区域被分成第1至第i发光区域组，并且属于不同组的发光区域的面积不同(其中1＜i≤j，i和j各自为自然数，j是最后发光区域组)。

【技术实现步骤摘要】
发光器件
实施方案涉及发光器件、发光器件封装件、照明装置和显示装置。
技术介绍
基于氮化镓的金属有机化学气相沉积和分子束生长的发展，开发了能够实现高亮度和白光的红色、绿色和蓝色发光二极管(LED)。这些LED不包含环境有害物质如在常规照明装置(如白炽灯或荧光灯)中使用的汞(Hg)，因而有利地具有优异的生态友好性、长寿命和低功耗，因此被用作常规光源的替代物。在这些LED的竞争中的关键因素在于基于具有高效率和高功率的芯片以及封装技术来实现高的亮度。为了实现高的亮度，增加光提取效率是重要的。为了增加光提取效率，正在研究使用倒装芯片结构、表面纹理化、图案化的蓝宝石衬底(PSS)、光子晶体技术、抗反射层结构等的多种方法。一般地，发光器件可以包括生成光的发光结构、接收功率的第一电极和第二电极、分散电流的电流阻挡层、与发光结构欧姆接触的欧姆层和提高光提取效率的反射层。一般的发光器件的结构在韩国专利特许公开号10-2011-0041270中公开。
技术实现思路
实施方案提供能够根据预期目的提高可靠性和效率并且控制发光区域的面积的发光器件。在一个实施方案中，发光器件包括：包括多个发光区域的发光结构，所述多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：包括多个发光区域的发光结构，所述多个发光区域包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；设置在所述发光区域之一中的在所述第一半导体层上的第一电极单元；设置在所述发光区域的另一个中的在所述第二半导体层上的第二电极单元；设置在所述发光区域的至少又一个中的在所述第二半导体层上的中间焊垫；和用于依次串联连接所述发光区域的至少一个连接电极，其中串联连接的所述发光区域被分成第1至第i发光区域组，并且属于不同组的发光区域的面积不同(其中1＜i≤j，i和j各自为自然数，并且j是最后发光区域组)。

【技术特征摘要】
2011.10.26 KR 10-2011-01097571.一种发光器件，包括：包括多个发光区域的发光结构，所述多个发光区域包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；设置在所述发光区域之一中的在所述第一半导体层上的第一电极单元；设置在所述发光区域的另一个中的在所述第二半导体层上的第二电极单元；设置在所述发光区域的至少又一个中的在所述第一半导体层或第二半导体层上的中间焊垫；和用于依次串联连接所述发光区域的至少一个连接电极，其中串联连接的所述发光区域被分成第1至第i发光区域组，并且属于不同组的发光区域的面积不同，其中1＜i≤j，i和j各自为自然数，并且j是最后发光区域组，其中，在所述中间焊垫设置在所述第二半导体层上的情况下，所述第一电极单元对应于共用负极端子，所述第二电极单元对应于正极端子中的一个，所述中间焊垫对应于其他正极端子，以及属于更接近于所述共用负极端子的组的发光区域的面积大于属于距离所述共用负极端子较远的组的发光区域的面积；或者其中，在所述中间焊垫设置在所述第一半导体层上的情况下，所述第一电极单元对应于负极端子中的一个，所述第二电极单元对应于共用正极端子，所述中间焊垫对应于其他负极端子，以及属于更接近于所述共用正极端子的组的发光区域的面积大于属于距离所述共用正极端子较远的组的发光区域的面积。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述中间焊垫设置在所述第二半导体层上的情况下，所述第一电极单元设置在属于所述第1组的发光区域中的第一发光区域中的所述第一半导体层上。3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第二电极单元设置在属于所述第j组的发光区域中的最后发光区域中的所述第二半导体层上。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述中间焊垫设置在所述第一半导体层上的情况下，所述第一电极单元设置在属于所述第j组的发光区域中的最后发光区域中的所述第一半导体层上。5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第二电极单元设置在属于所述第1组的发光区域中的第一发光区域中的所述第二半导体层上。6.根据权利要求1所述的发光器件，其中属于同一组的发光区域的面积相同。7.根据权利要求1所述的发光器件，其中属于不同组的发光区域的横向长度和纵向长度中的至少一个是不同的。8.根据权利要求1所述的发光器件，其中属于第i-1组的发光区域的面积大于属于第i组的发光区域的面积。9.根据权利要求1所述的发光器件，其中属于各个组的发光区域的面积从第1组至第j组依次减小。10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述发光区域的横向长度和纵向长度中之一减小。11.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述中间焊垫设置在属于除了第j组之外的组中至少之一的发光区域中的最后发光区域中的所述第二半导体层上。12.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述中间焊垫设置在属于除了第j组之外的组中至少之一的发光区域中的最后发光区域中的所述第一半导体层上。13.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极单元和所述第二电极单元中的每一个均包括接收功率的焊垫。14.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述中间焊垫设置在所述第二半导体层上的情况下，所述中间焊垫与在同一发光区域中的所述连接电极电连接。15.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述中间焊垫设置在所述第一半导体层上的情况下，所述中间焊垫不与在同一发光区域中的所述连接电极电连接。16.根据权利要求1所述的发光器件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金省均，吴玧京，秋圣镐，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：