【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，特别是涉及一种含有铟镓氧化物的。
技术介绍
参阅图I,目前的发光兀件包含由半导体材料构成的一层第一披覆层11、一层发光层12、一层第二披覆层13,及一个以导体材料构成的电极单兀14。该第一披覆层11以η型半导体材料构成，例如η型氮化镓，所 以通常称作η型披覆层(以下将第一披覆层11称作η型披覆层)。该第二披覆层13以P型半导体材料构成，例如P型氮化镓，所以通常称作P型披覆层(以下将第二披覆层13称作P型披覆层)。该发光层12夹置于η型披覆层与P型披覆层间，并在接受电能时将电能转换为光能而发光。该电极单元14以金属元素、金属合金等导体材料构成，并包括一个设置于该η型披覆层上的第一电极141,及一个设置于该P型披覆层上的第二电极142,该第一电极141、第二电极142可传送来自外界的电能。当电极单元14的第一电极141、第二电极142接受来自外界的电能时，电能经过该η型披覆层及该P型披覆层到达该发光层12，电能在发光层12中产生光电反应而发光。由于电流需先流经该P型披覆层再到达该发光层12，但该P型披覆层为半导体材料，电流流动的速率及导电率不如以...
【技术保护点】
一种发光元件，包含：一层第一披覆层、一层发光层、一层第二披覆层，及一个电极单元，该第一披覆层以半导体材料构成，该发光层设置于该第一披覆层上并在接受电能时将电能转换为光能，该第二披覆层设置于该发光层上并与该第一披覆层呈相反电性，该电极单元传送来自外界的电能至该发光层；其特征在于：该发光元件还包含一个铟镓氧化物，该铟镓氧化物设置于该第二披覆层上，且该铟镓氧化物的化学式为InyGa1?yOxN1?x，0＜y＜1，0＜x≤1。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊德，李玉柱，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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