【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种反射电极的制作方法，更具体地是。
技术介绍
发光二极管(英文为Light Emitting Diode，简称LED)是半导体ニ极管的ー种，它能将电能转化为光能，发出黄、绿、蓝等各种颜色的可见光及红外和紫外不可见光。与小白炽灯泡及氖灯相比，它具有工作电压和电流低、可靠性高、寿命长且可方便调节发光亮度等优点。自20世纪90年代氮化镓(GaN)基LED开发成功以来，随着研究的不断进展，其发光亮度也不断提高，应用领域也越来越广。目前，适合商用的蓝绿光LED都是基于GaN的III-V族化合物半导体材料。由于GaN基LED外延片的P-GaN层空穴浓度小，且P-GaN厚度较薄，绝大部分发光时从P-GaN透出。而P-GaN不可避免地对光有吸收作用，导致LED芯片外量子效率不高，大大降低了 LED的发光效率。为此，改善LED发光效率的研究较为活跃，主要技术有采用图形衬底技术、分布电流阻挡层、分布布拉格反射层(英文为Distributed Bragg Reflector,简称DBR)结构、透明衬底、表面粗化、光子晶体技术等。參见图1，在常规正装发光二极管结构中，包...
【技术保护点】
发光二极管反射电极的钝化方法，其包括步骤：在一基板上形成发光外延层，其至下而上包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；在所述发光外延层上形成反射金属电极结构，包括金属反射层、金属隔离层和金属电极层；采用化学溶液对所述金属反射层的四周侧壁进行金属钝化，完成金属电极结构的钝化保护。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林素慧，洪灵愿，彭康伟，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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