通过p型钝化实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT技术

本发明专利技术公开了一种通过p型钝化实现增强型HEMT的方法，其包括：提供主要由第一、第二半导体组成的异质结构，所述第二半导体分布于第一半导体上，并具有宽于第一半导体的带隙，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第二半导体上形成p型掺杂的第三半导体；对所述第三半导体中除栅下区域之外的其余区域进行钝化处理，使p型掺杂区仅存在于栅下区域，所述栅下区域分布在所述HEMT器件的栅极正下方；制作与所述异质结构连接的源、漏、栅极，并使所述源、漏极能够通过所述二维电子气电连接，且使所述栅极分布于源、漏极之间。本发明专利技术还公开了一种增强型HEMT。本发明专利技术具有工艺简单，重复性高，器件性能稳定优良，成本低廉，易于进行大规模生产等优点。

【技术实现步骤摘要】
201610403535

【技术保护点】
一种通过p型钝化实现增强型HEMT的方法，其特征在于包括：提供主要由第一半导体和第二半导体组成的异质结构，所述第二半导体分布于第一半导体上，并具有宽于第一半导体的带隙，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第二半导体上形成p型掺杂的第三半导体；对所述第三半导体中除栅下区域之外的其余区域进行钝化处理，使p型掺杂区仅存在于栅下区域，所述栅下区域分布在所述HEMT器件的栅极正下方；以及，制作与所述异质结构连接的源极、漏极及栅极，并使所述源极和漏极能够通过所述二维电子气电连接，且使所述栅极分布于源极与漏极之间。

【技术特征摘要】
1.一种通过p型钝化实现增强型HEMT的方法，其特征在于包括：提供主要由第一半导体和第二半导体组成的异质结构，所述第二半导体分布于第一半导体上，并具有宽于第一半导体的带隙，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第二半导体上形成p型掺杂的第三半导体；对所述第三半导体中除栅下区域之外的其余区域进行钝化处理，使p型掺杂区仅存在于栅下区域，所述栅下区域分布在所述HEMT器件的栅极正下方；以及，制作与所述异质结构连接的源极、漏极及栅极，并使所述源极和漏极能够通过所述二维电子气电连接，且使所述栅极分布于源极与漏极之间。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于包括：通过对分布在第二半导体上的第三半导体进行Mg掺杂，从而形成p型掺杂的第三半导体。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于包括：在所述第三半导体的栅下区域上设置掩模，之后对所述第三半导体进行钝化处理，从而使p型掺杂区仅存在于栅下区域；所述掩模包括栅极或光刻胶掩模。4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于：所述钝化处理至少选用H离子注入，含H的plasma处理、离子注入和高温处理中的任意一种方式。5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述第一半导体、第二半导体和第三半导体的材质均选自Ⅲ族氮化物；和/或，所述第二半导体与第一半导体之间还分布有插入层，所述插入...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋亮，郝荣晖，付凯，张志利，孙世闯，李维毅，李夏珺，袁洁，于国浩，邓旭光，范亚明，蔡勇，张宝顺，
申请(专利权)人：苏州能屋电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32