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本发明公开了一种通过p型钝化实现增强型HEMT的方法，其包括：提供主要由第一、第二半导体组成的异质结构，所述第二半导体分布于第一半导体上，并具有宽于第一半导体的带隙，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第二半导体上形成p型掺杂的第三半导...
该专利属于苏州能屋电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能屋电子科技有限公司授权不得商用。

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