本发明公开了一种低阻欧姆接触的增强型

本发明公开了一种基于P型栅的增强型HEMT及其制备方法。所述的制备方法包括制作HEMT器件主体以及与之配合的源、漏、栅极的步骤；其中制作器件主体的步骤包括：提供包括沟道层、势垒层和盖帽层的外延结构，所述盖帽层由HR

本发明公开了一种基于CMP刻蚀技术制备凹槽栅增强型HEMT器件的方法，包括：在用于制作HEMT器件的外延片上设置掩模，并使势垒层的栅极区域从所述掩模中暴露出；对所述外延片设置有掩模的一侧表面进行抛光处理，其中采用的抛光液还能选择性腐蚀所...

本发明公开了一种增强型HEMT欧姆接触结构的制作方法及其应用。在一个实施例中，所述的制作方法包括：在HEMT器件的外延结构上依次设置底层光刻胶、金属层、顶层光刻胶形成三明治结构的复合掩模；将顶层光刻胶选区曝光显影，之后将显影区域下方的金...

本发明公开了一种通过p型钝化实现增强型HEMT的方法，其包括：提供主要由第一、第二半导体组成的异质结构，第二半导体分布于第一半导体上，并具有宽于第一半导体的带隙，且异质结构中形成有二维电子气；在第二半导体上形成p型掺杂的第三半导体；对第...

本申请公开了一种N面GaN HEMT器件及制作方法。所述HEMT器件包括外延结构以及与外延结构配合的源、漏、栅极；所述外延结构包括沿设定方向依次生长形成的高阻层、沟道层和势垒层，所述沟道层与势垒层的界面处还形成有二维电子气；所述高阻层至...

本申请公开了一种改良的HEMT器件及其制作方法。所述HEMT器件包括沿设定方向排列的多个单胞，每一单胞均是直接在用于制作HEMT器件的半导体外延结构中加工形成的独立功能单元，其中相邻两个单胞之间设置有隔离区，并且该相邻两个单胞共用源极或...

本实用新型公开了一种p型栅增强型HEMT器件。所述p型栅增强型HEMT器件包括：包含第一半导体和第二半导体的异质结，在所述异质结中形成有二维电子气；形成于异质结上的p型半导体和高阻半导体；以及源极、漏极和栅极；所述源极、漏极与异质结形成...

本发明公开了一种(0001)面外延的六方相SiC晶圆、UMOSFET器件及其制作方法。所述晶圆的外延层表面形成有至少一个多边形沟槽，并且构成多边形沟槽槽壁的多个面中的至少一个面与外延层表面的交线中有至少一条线与六方相SiC晶体的

本实用新型公开了一种通过电荷工程实现的弱极化HEMT器件，其包括异质结构以及与异质结构配合的栅电极、源电极和漏电极，所述异质结构包括沟道层和势垒层，所述源电极和漏电极通过所述异质结构中的二维电子气电连接，所述势垒层为铝组分含量在20％以...

本发明公开了一种基于高阻盖帽层的III族氮化物极化超结HEMT器件及制法，所述器件包括：第一异质结，包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且所述第一异质结构中形成有二维电子气；第二异质结...

本发明公开了一种光辅助刻蚀自停止实现凹栅增强型HEMT器件的方法，包括：提供刻蚀样品；在刻蚀样品表面设置图形化掩膜，从而暴露出刻蚀表面；将所述刻蚀样品的刻蚀表面直接暴露在刻蚀溶液中，并以刻蚀光线至少照射所述刻蚀表面，从而使所述刻蚀溶液于...

本发明公开了一种电化学刻蚀实现增强型HEMT的方法，包括：提供刻蚀样品，其外延结构包括：主要第一、第二半导体层组成的异质结构，以及设置于第二半导体层上并能耗尽该异质结构导电沟道中二维电子气的第三半导体层，且第三半导体层的导电性高于第二半...

本发明公开了一种基于双层盖帽层结构的Ⅲ族氮化物HEMT器件及其制作方法。所述HEMT器件包括外延层以及与外延层配合的源极、漏极和栅极，所述外延层包括异质结构，所述异质结构包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体上依...

本发明揭示了一种通过电化学腐蚀实现增强型HEMT器件的系统，包括刻蚀光源、刻蚀电源、刻蚀溶液、阴极板和刻蚀样品，刻蚀溶液、阴极板、刻蚀电源和刻蚀样品之间串联形成刻蚀回路，将刻蚀样品位于器件栅电极下端的势垒层AlxGa(1‑x)N通过电化...

本发明揭示了一种刻蚀自停止实现凹栅增强型HEMT器件的系统，其包括宽光谱光源、滤波器、刻蚀电源、刻蚀溶液、阴极板，刻蚀溶液、阴极板、刻蚀电源和刻蚀样品之间串联形成刻蚀回路，将刻蚀样品位于器件栅电极下端的势垒层AlxGa(1‑x)N通过电...

本发明公开了一种Ⅲ族氮化物增强型MIS‑HEMT器件及其制备方法。该器件包括源、漏、栅极以及异质结构，源、漏极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，兼作为栅介质层的能量...

本实用新型公开了一种增强型自支撑垂直结构Ⅲ族氮化物HEMT器件及AlGaN/GaN HEMT器件。在一优选实施例中，所述HEMT器件包括N极性外延结构，所述N极性外延结构包括依次形成于衬底上的电流阻挡层、N极性的第一AlGaN层、N极性...

本发明公开了一种通过p型钝化实现增强型HEMT的方法，其包括：提供主要由第一、第二半导体组成的异质结构，所述第二半导体分布于第一半导体上，并具有宽于第一半导体的带隙，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第二半导体上形成p型掺杂的第三...

本发明公开了一种通过原位刻蚀监控制备凹栅增强型HEMT器件的方法及系统。所述方法包括：将刻蚀样品与陪片放置在刻蚀设备内的等效刻蚀位置，使所述刻蚀样品的刻蚀表面和所述陪片直接暴露在刻蚀环境内，通过监控所述陪片的两个电极之间的电流变化实现对...