光半导体元件以及光半导体元件的制造方法技术

本发明专利技术提供光半导体元件以及光半导体元件的制造方法。光半导体元件(10)包括：第1半导体层(12)，由第1导电型的半导体组成；第2半导体层(13)，由第2导电型的半导体组成，并且在第1半导体层的上面的一部分上形成；第1电极(14a)，在第1半导体层的上面中的另一部分上形成；第2电极(14b)，在第2半导体层的上面形成，并且具有位于比第1电极的上面还要高的位置的上面；第1连接电极(52)，在第1电极的上面形成；第2连接电极(51)，在第2电极的上面形成；以及保护膜(15)，是覆盖第1半导体层的表面和第2半导体层的表面的绝缘性的保护膜，并且具有使第1半导体层的表面的一部分露出的开口部(21)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有适合倒装片(flip chip)安装的连接电极的光半导体元件、以及光半导体元件的制造方法。
技术介绍
以白色化的实现以及发光效率的急速上升等的技术性发展为背景，发光二极管(LED)被广泛且普遍地使用。作为例子可举出一般家庭用的照明以及汽车用的头灯等。从发光效率、制造效率以及制造成本等的观点来看，当前成为主流的LED的构造为如下的构造。在绝缘性透明基板(蓝宝石(sapphire)基板等)上层叠η型以及p型的氮化镓系列化合物半导体。然后，通过腐蚀(etching)p型层的一部分从而形成η型层以及P型层的表面具有高度差的状态。在η型层以及P型层的表面上形成电极，并进行倒装片封装。从LED射出的光透过绝缘性透明基板而照射。 对于LED而言，P极以及η极的导通状态均匀对于减少功耗以及提高持久性都很重要。因此，在进行倒装片封装的LED中，连接电极的形成技术是重要的技术。在专利文献I中公开了通过真空蒸镀法和剥离，在具有高度差的LED芯片上形成电极的技术。在专利文献2中公开了利用无电解质电镀在具有高度差的光半导体元件上形成电极的技术。日本公开特许公报“特开平9-232632号公报本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光半导体元件，其特征在于，包括：第1半导体层，由第1导电型的半导体组成；第2半导体层，由第2导电型的半导体组成，并且在上述第1半导体层的上面的一部分上形成；第1电极，在上述第1半导体层的上面中的另一部分上形成；第2电极，在上述第2半导体层的上面形成，并且具有位于比上述第1电极的上面还要高的位置的上面；第1连接电极，在上述第1电极的上面形成；第2连接电极，在上述第2电极的上面形成；以及保护膜，是覆盖上述第1半导体层的表面和上述第2半导体层的表面的绝缘性的保护膜，并且具有使上述第1半导体层的表面的一部分露出的开口部。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：泽井敬一，吾乡富士夫，渡边裕二，川上克二，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：