【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体发光装置,属于半导体器件制造
技术介绍
发光二极管(LED)的核心基本结构包括ρ型半导体层、有源层(发光层)和η型半导体层。当LED受到正向偏压的作用时,ρ区中的空穴向η区移动,η区中的电子向ρ区移动,电子和空穴在有源层复合。从理论上讲,电子和空穴复合释放出的能量绝大部分以光(辐射跃迁)的形式释放出来。可以看出,LED可以直接将电能转换成光能,因此具有能量转换效率高、体积小等优点。同时由于LED中不含有有毒有害的物质,因此符合环保可持续发展的要求。由于LED具有低能耗、环保、小型化、寿命长等优点,其具有广阔的市场发展前景
技术实现思路
本专利技术提供了一种具有反射电极的发光装置,其通过控制电极中的电流方向,从而在电极与半导体接触面产生电势梯度,以抑制金属迁移的发生,提高LED的器件稳定性。根据本专利技术的一个方面一种发光装置,包括一种含有多个半导体层的半导体结构,并且在半导体层之间有发光层;至少一个含有反射层的电极,与前述半导体结构的至少一个半导体层有一接触;当对所述发光装置施加正向偏压时,电流从反射层的侧面流入反射层,使得所述电极与半导 ...
【技术保护点】
一种发光装置,包括:一种含有多个半导体层的半导体结构,并且在半导体层之间有发光层;至少一个含有反射层的电极,与前述半导体结构的至少一个半导体层有一接触面;当对所述发光装置施加正向偏压时,电流从反射层的侧面流入反射层,使得所述接触面产生电势梯度,从而抑制电极中的金属发生电迁移。
【技术特征摘要】
1.一种发光装置,包括 一种含有多个半导体层的半导体结构,并且在半导体层之间有发光层; 至少一个含有反射层的电极,与前述半导体结构的至少一个半导体层有一接触面; 当对所述发光装置施加正向偏压时,电流从反射层的侧面流入反射层,使得所述接触面产生电势梯度,从而抑制电极中的金属发生电迁移。2.根据权利要求I所述的一种发光装置,其特征在于所述电极还包含电流引导层,当施加正向偏压时,电流通过反射层周围的电流弓I导层流入反射层。3.根据权利要求2所述的一种发光装置,其特征在于所述电流引导层与半导体接触面的电势高于反射层与半导体接触面的电势。4.根据权利要求2所述的一种发光装置,其特征在于所述电流引导层含有不发生电迁移的高发射率材料。5.根据权利要求2所述的一种发光装置,其特征在于所述电极的不参与导电作用部分的表面被绝缘材料覆盖。6.一种发光装置,包括 半导体结构,包括=P型半导体层、N型半导体层、以及P层和N层之间的发光层; 一个电极,包括电流注入层、电流引导层和反射层,所述电流引导层位于反...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨力勋,时军朋,梁兴华,郑高林,钟志白,黄少华,关杰夫,
申请(专利权)人:安徽三安光电有限公司,
类型:发明
国别省市:
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