一种利用纳米级ZnO提高LED光提取效率的方法技术

一种利用纳米级ZnO提高LED光提取效率的方法，属于LED技术领域。先将氧化锌加入到稀盐酸中，形成饱和溶液，然后将H2O2溶液加入到此饱和溶液中，置于40℃的恒温水浴中，将LED芯片出光面朝上放入反应溶液，经过0.5-1h得到经过纳米级ZnO粗化的LED芯片；光刻出电极图形，完成溅射p电极。本发明专利技术对LED的窗口层进行纳米级ZnO沉积，以实现表面粗化，从而达到提高LED光提取效率的目的。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于LED
,尤其是涉及一种增强发光二极管(LED:Light EmittingDiode)光提取效率的表面粗化方法。
技术介绍
半导体LED以其高电光转化效率、寿命长、绿色环保等优点，成为21世纪的新一代照明光源。随着III-V族半导体工艺的日趋成熟，LED器件研制不断向高效高亮度方向发展。得益于外延生长技术MOCVD和多量子阱结构(MQW)的引入，LED的内量子效率(quantum efficiency)可以大于90%,甚至接近100%,提高的空间不大。但由于半导体材·质通常具有高介电系数，所以在发光层(active layer)所产生的光，受到全内反射(totalinternal reflection)的限制无法稱合(couple)到外部环境,使得发光二极管的光提取效率(extraction efficiency)通常在30%以下。因此,LED光提取效率的提高是当今LED研发的核心内容。过去针对光提取效率较低的解决途径，大致有五种不同方法，用以降低全反射的效应。其一，利用光学增透膜，减少被材料本身吸收的光线。其二，LED芯片倒装结构，使得光从透明的蓝宝石衬底上出射，同本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用纳米级ZnO提高LED光提取效率的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）准备反应溶液用去离子水稀释浓盐酸，浓度为1.72—3.015mol/L，室温下将ZnO粉末加入稀盐酸搅拌直至饱和，过滤掉未溶解的ZnO粉末，得到氯化锌溶液；将H2O2稀释，浓度为1.02×10？3—5×10？3mol/L，并加至氯化锌溶液中得到反应溶液，其中氯化锌溶液与H2O2溶液的体积比为1：1—5∶1；（2）将步骤（1）的反应溶液放置于40℃的恒温水槽进行水浴；（3）将LED芯片出光面朝上放入反应溶液，经过0.5？1h得到经过纳米级ZnO粗化的LED芯片；（4）光刻出电极图形，完成溅射p电极。

【技术特征摘要】
1.一种利用纳米级ZnO提高LED光提取效率的方法，其特征在于，包括以下步骤 (1)准备反应溶液 用去离子水稀释浓盐酸，浓度为I. 72—3. 015mol/L，室温下将ZnO粉末加入稀盐酸搅拌直至饱和，过滤掉未溶解的ZnO粉末，得到氯化锌溶液；将H2O2稀释，浓度为I. 02 X 10_3—5X 10_3mol/L，并加至氯化锌溶液中得到反应溶液，其中氯化锌溶液与H2O2溶液的体积比为I 1—5 I ； (2)将步骤(I)的反应溶液放置于40°C的恒温水槽进行水浴； (3...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建军，马凌云，李佳莼，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：