发光二极管元件制造技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管元件。该发光二极管元件包括：半导体结构，具有第一型半导体层及第二型半导体层；出光区，具有第一斜侧壁、靠近该半导体结构的第一面、及远离该半导体结构的第二面；及第一导线，位于该第一斜侧壁上，并电性连接至该第一型半导体层。本发明专利技术达到缩小发光二极管元件封装尺寸与简化封装工艺的目的，同时提升发光二极管元件出光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管元件本申请是申请号为200810008548.5、申请日为2008年1月23日、申请人为晶元光电股份有限公司、专利技术名称为“发光二极管元件”的中国专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种发光元件，特别涉及一种发光二极管元件。
技术介绍
发光二极管(LED)具有省电、开关速度快等优点，应用越来越广泛。继高阶手机采用发光二极管当背光源后，各样手持式电子产品也倾向采用LED。为满足手持式电子产品轻薄短小的需求，发光二极管封装时如何节省封装空间与成本，俨然成为发光二极管的重心所在。一般发光二极管管芯可以区分为面上(faceup)型态与覆晶(flipchip)型态，并且与其他元件，例如为封装载体或电路板，组合以形成发光装置(light-emittingapparatus)。图4为公知发光装置示意图，如图4所示，发光装置600包含次载体(sub-mount)60；焊料62(solder)位于上述次载体60上；以及电性连接结构64。发光二极管管芯400包含基板58，半导体外延叠层54位于基板58上，电极56位于半导体外延叠层54上；以及第二电极66位于基板58下方。发光二极管管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管元件，包括：半导体结构，具有第一型半导体层及第二型半导体层；出光区，具有第一斜侧壁、靠近该半导体结构的第一面、及远离该半导体结构的第二面；及第一导线，位于该第一斜侧壁上，并电性连接至该第一型半导体层。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管元件，包括：半导体结构，具有第一型半导体层及第二型半导体层；出光区，具有靠近该半导体结构的第一面、远离该半导体结构的第二面、以及位于该第一面以及该第二面之间的第一斜侧壁；及第一导线，电性连接至该第一型半导体层；第一电极，位于该第一型半导体层上且电性连接至该第一型半导体层；第一焊接垫，电性连接至该第一型半导体层，并位于该第二面上；其中该第二型半导体层介于该第一型半导体层以及该出光区之间，该半导体结构与该出光区位于该第一电极以及该第一焊接垫之间，该第一导线沿该第一面上方及该第一斜侧壁连接该第一焊接垫；其中该半导体结构以外延工艺从该出光区形成。2.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该第一斜侧壁与该第一面或该第二面间的角度为15～7...

【专利技术属性】
技术研发人员：许嘉良，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：