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本发明公开了发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。所述发光器件包括：第一导电半导体层；包括量子阱和量子势垒并且设置在第一导电半导体层上的有源层；以及在有源层上的第二导电半导体层。有源层包括与第二导电半导体层相邻的第一量子...
该专利属于LG伊诺特有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过LG伊诺特有限公司授权不得商用。

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