【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光二极管
，特别涉及一种带反射结构的发光二极管。
技术介绍
LED芯片结构表面的金属电极能使电流更好地扩展，但是其光子位于光射出的路径上时会被接触的金属吸收或反射，反射回去的光子有被吸收的可能，不利于提高光输出效率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种通过设置双反射层来增大出光率的发光二极管。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种发光二极管，包括从上到下依次排列的P电极、电流扩展层、P型层和有源层，从所述P电极的下表面到所述有源层的上表面之间的不同高度上分别设有第一光线反射面和第二光线反射面。本专利技术的有益效果是:利用光在两个反射面之间不断反射以及散射，增加出光效率。在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进:进一步，所述第一光线反射面位于所述P电极的下表面与所述电流扩展层的上表面之间，所述第二光线反射面位于所述电流扩展层的下表面与所述P型层的上表面之间。采用上述进一步方案的有益效果是将第一光线反射面和第二光线反射面设置在该处是本专利技术的一种优选实施方式，利用电流扩展层实现了双反射，既具有较好的提高出光率的...
【技术保护点】
一种发光二极管，包括从上到下依次排列的P电极、电流扩展层、P型层和有源层，其特征在于：从所述P电极的下表面到所述有源层的上表面之间的不同高度上分别设有第一光线反射面和第二光线反射面。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括从上到下依次排列的P电极、电流扩展层、P型层和有源层，其特征在于:从所述P电极的下表面到所述有源层的上表面之间的不同高度上分别设有第一光线反射面和第二光线反射面。2.根据权利要求1所述一种发光二极管，其特征在于:所述第一光线反射面位于所述P电极的下表面与所述电流扩展层的上表面之间，所述第二光线反射面位于所述电流扩展层的下表面与所述P型层的上表面之间。3.根据权利要求2所述一种发光二极管，其特征在于:所述第一反射面为布拉格反射层。4.根据权利要求3所述一种发光二极管，其特征在于:所述布拉格反射层的面积大于等于所述P电极的下表面的面积且小于所述电流扩展层的上表面的面积，所述P电极的下表面在所述布拉格反射层上的投影完全落入该布拉格反射层的面积之内。5.根据权利要求2所述一种发光二...
【专利技术属性】
技术研发人员：王汉华，项艺，杨新民，靳彩霞，董志江，
申请(专利权)人：武汉迪源光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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