一种双反射发光二极管制造技术

本发明专利技术涉及一种发光二极管，包括从上到下依次排列的P电极、电流扩展层、P型层和有源层，从所述P电极的下表面到所述有源层的上表面之间的不同高度上分别设有第一光线反射面和第二光线反射面。本发明专利技术利用光在两个反射面之间不断反射以及散射，增加了发光二极管的出光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管
，特别涉及一种带反射结构的发光二极管。
技术介绍
LED芯片结构表面的金属电极能使电流更好地扩展，但是其光子位于光射出的路径上时会被接触的金属吸收或反射，反射回去的光子有被吸收的可能，不利于提高光输出效率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种通过设置双反射层来增大出光率的发光二极管。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种发光二极管，包括从上到下依次排列的P电极、电流扩展层、P型层和有源层，从所述P电极的下表面到所述有源层的上表面之间的不同高度上分别设有第一光线反射面和第二光线反射面。本专利技术的有益效果是:利用光在两个反射面之间不断反射以及散射，增加出光效率。在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进:进一步，所述第一光线反射面位于所述P电极的下表面与所述电流扩展层的上表面之间，所述第二光线反射面位于所述电流扩展层的下表面与所述P型层的上表面之间。采用上述进一步方案的有益效果是将第一光线反射面和第二光线反射面设置在该处是本专利技术的一种优选实施方式，利用电流扩展层实现了双反射，既具有较好的提高出光率的效果，又便于实施。更进一步，所述第一反射面为布拉格反射层。采用上述进一步方案的有益效果是作为本领域常用的技术手段，本领域技术人员实施起来较容易。再进一步，所述布拉格反射层的面积大于等于所述P电极的下表面的面积且小于所述电流扩展层的上表面的面积，所述P电极的下表面在所述布拉格反射层上的投影完全落入该布拉格反射层的面积之内。采用上述进一步方案的有益效果是将该布拉格反射层放置于P电极的正下方，且使投影面落入布拉格反射层内，该布拉格反射层的面积不能小于P电极下表面的面积，否则P电极下方未挡住光线会被电极材料所吸收；又因为布拉格反射层的绝缘作用，布拉格反射层的面积不能大到铺满整个层。更进一步，所述第二反射面为所述P型层的上表面，且所述P型层的上表面为粗糙表面。采用上述进一步方案的有益效果是虽然可能不如在该处新增一层布拉格反射层效果好，但这种方式的优点是非常方便易于实施，实施成本低。进一步，所述第一光线反射面位于所述电流扩展层的下表面与所述P型层的上表面之间，所述第二光线反射面位于所述P型层的下表面和所述有源层的上表面之间。采用上述进一步方案的有益效果是作为本专利技术另一种优选实施方式，利用P型层实现了双反射，既具有较好的提高出光率的效果，又便于实施。更进一步，所述第一反射面为布拉格反射层。采用上述进一步方案的有益效果是作为本领域常用的技术手段，本领域技术人员实施起来较容易。再进一步，所述布拉格反射层的面积大于等于所述P电极的下表面的面积且小于所述电流扩展层的下表面的面积，所述P电极的下表面在所述布拉格反射层上的投影完全落入该布拉格反射层的面积之内。采用上述进一步方案的有益效果是将该布拉格反射层放置于P电极的正下方，且使投影面落入布拉格反射层内，该布拉格反射层的面积不能小于P电极下表面的面积；又因为布拉格反射层的绝缘作用，布拉格反射层的面积不能大到铺满整个层。更进一步，所述P型层和所述有源层之间还设有电子阻挡层；所述第二光线反射面为所述电子阻挡层的上表面。采用上述进一步方案的有益效果是由于很多发光二极管是带有电子阻挡层的，而这一电子阻挡层本身都是惨Al的，具备反射效果，那么就可以直接将电子阻挡层的上表面作为第二光线反射面，无需重新制作第二光线反射面，实施容易成本低。附图说明图1为一般发光二极管结构示意图；图2为本专利技术实施例1的两层光线反射面位置示意图；图3为本专利技术实施例2的两层光线反射面位置示意图。附图中，各标号所代表的部件列表如下:IOUP电极，102、电流扩展层，103,P型层，104、电子阻挡层，105、有源层，106,N型层，107、非掺杂GaN层，108、缓冲层，109、衬底，110、反射层，111、金属层，112、N电极；201、保护层；301、第一光线反射面，302、第二光线反射面。具体实施例方式以下结合附图对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。图1给出了一种常见发光二极管的结构，从上到下依次包括:P电极101、电流扩展层102、P型层103、电子阻挡层104、有源层105、N型层106、非掺杂GaN层107、缓冲层108、衬底109、反射层110、金属层111和位于N型层106上的N电极112 ；以及位于外部的保护层201。图1列出的发光二极管的各层结构比较全，有的层不是必须要有的，例如有些发光二极管可能省略电子阻挡层104。本专利技术的专利技术点是，从所述P电极101的下表面到所述有源层105的上表面之间分别设有第一光线反射面301和第二光线反射面302。也就是说，从有源层105 (即发光层)向上一直到P电极101的下表面这段区域里，设有两个光线反射面，这两个光线反射面分别位于不同的高度上。在这两个光线反射面的共同作用下，光线在第一光线反射面301和第二光线反射面302之间可以不断反射,使出光效率最大化。本专利技术的优选实施方式有两种:实施例1:如图2所示，利用电流扩展层102进行双反射。第一光线反射面301位于P电极101的下表面与电流扩展层102的上表面之间，第二光线反射面302位于电流扩展层102的下表面与P型层103的上表面之间。第一光线反射面301的优选实施方式是在P电极101的下表面和电流扩展层102的上表面之间新增加的一层布拉格反射层，即Si02和Ti02交替组合的多层结构，这样的反射效果最好。或者，第一光线反射面301也可以是全方位反射层、还可以是新增的一层Ag或Al，其反射效果也较好；还或者，第一反射面301还可以本身就具有反射结构和电极的功能，例如P电极101的下表面是具有反射效果的金属，那么也可以直接将P电极101的下表面作为第一光线反射面301。这里需要进一步说明，如果是第一光线反射面301如果是新增的一层布拉格反射层，要注意如下两点，一是该布拉格反射层的面积要大于等于所述P电极101的下表面的面积且小于所述电流扩展层102的上表面的面积，二是P电极101的下表面在该新增布拉格反射层上的投影完全落入该布拉格反射层的面积之内。其目的是，新增的布拉格反射层必须要挡住P电极101的下表面，防止从P电极101的下表面处漏光；且又因为布拉格反射层是绝缘的，因此又不能铺满整个电流扩展层102的上表面，否则电流将被绝缘而无法流向。因此优选方案是面积稍大于P电极101的下表面面积。第二光线反射面302优选实施方式是将P型层103的上表面做粗化来得到，使P型层103的上表面变成粗糙表面，只要达到反射的效果就可以，其优点是实施方便且成本较低。当然，第二光线反射面302也可以是单独增加的一层反射层，例如布拉格反射层，但实施起来成本略高。实施例2:如图3所示，利用P型层103进行双反射。第一光线反射面301位于电流扩展层102的下表面与P型层103的上表面之间，第二光线反射面302位于P型层103的下表面和有源层105的上表面之间。第一光线反射面301的优选实施方式也是一层新增的布拉格反射层；如果是这样的话，也进一步优选类似实施例1中的描述方案，即新增的布拉格反射层的面积大于等于P电极101的下表面的面积且小于电流扩展本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，包括从上到下依次排列的P电极、电流扩展层、P型层和有源层，其特征在于：从所述P电极的下表面到所述有源层的上表面之间的不同高度上分别设有第一光线反射面和第二光线反射面。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括从上到下依次排列的P电极、电流扩展层、P型层和有源层，其特征在于:从所述P电极的下表面到所述有源层的上表面之间的不同高度上分别设有第一光线反射面和第二光线反射面。2.根据权利要求1所述一种发光二极管，其特征在于:所述第一光线反射面位于所述P电极的下表面与所述电流扩展层的上表面之间，所述第二光线反射面位于所述电流扩展层的下表面与所述P型层的上表面之间。3.根据权利要求2所述一种发光二极管，其特征在于:所述第一反射面为布拉格反射层。4.根据权利要求3所述一种发光二极管，其特征在于:所述布拉格反射层的面积大于等于所述P电极的下表面的面积且小于所述电流扩展层的上表面的面积，所述P电极的下表面在所述布拉格反射层上的投影完全落入该布拉格反射层的面积之内。5.根据权利要求2所述一种发光二...

【专利技术属性】
技术研发人员：王汉华，项艺，杨新民，靳彩霞，董志江，
申请(专利权)人：武汉迪源光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：