【技术实现步骤摘要】
本技术涉及LED发光二极管的生产
技术介绍
目前的芯片大部分是正装结构，P电极通过透时导电层直接形成于P-GaN层上，为了将N电极与N-GaN层直接连接，刻蚀时仅保留P电极下方的P-GaN层、量子阱层，其余部分的P-GaN层和量子阱层全部刻蚀去除，直接完全露出N-GaN层。这种结构大量的N-GaN层直接暴露于LED发光二极管表面，在进行ICP刻蚀作N台阶时容易受到外延表面因素的影响，再蒸镀完电极之后，容易出现ICP黑点及LED发光二极管良率低的缺点。
技术实现思路
本技术目的是提出一种可有效减少出现ICP黑点，并提高LED发光二极管良率的LED发光二极管。本技术在衬底的同一侧包括依次设置的N-GaN层、量子阱层、P-GaN层和透明导电层，在透明导电层上设置P电极，在N-GaN层上连接N电极，其特征在于在N电极与N-GaN层之间包裹式设置透明导电层、P-GaN层和量子阱层。本技术保留了N电极下方的部分P-GaN及量子阱层，能够减少N-GaN层直接暴露于LED发光二极管表面的面积，进而减少ICP刻蚀完后的黑点现象的发生，并提高产品的良率，并且本技术有利于增加电流的横向扩展能力，提高电流的分布均匀性。附图说明图1至图2为本技术制作工艺过程图。图3为本技术的一种结构示意图。具体实施方式一、正装芯片制作工艺如下：1、在常规衬底1的上方依次外延生长形成N-GaN层2、量子阱层3和P-GaN层4。2、在黄光光刻工艺中，利用感应偶和等离子（ICP）调节刻蚀气体BCl3 和Cl2的比例图形化地刻蚀去除各元胞的P-GaN层和量子阱层部分区域，直至暴露出N-GaN层，刻蚀深...
【技术保护点】
一种正装LED发光二极管，在衬底的同一侧包括依次设置的N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层和透明导电层，在透明导电层上设置P电极，在N‑GaN层上连接N电极，其特征在于在N电极与N‑GaN层之间包裹式设置透明导电层、P‑GaN层和量子阱层。
【技术特征摘要】
1.一种正装LED发光二极管，在衬底的同一侧包括依次设置的N-GaN层、量子阱层、P-GaN层和透明导电层，在透明导电层上...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡立鹤，张永，陈凯轩，李俊贤，刘英策，陈亮，魏振东，吴奇隆，周弘毅，邬新根，黄新茂，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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