【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件制作，更为具体地说，涉及一种微型led芯片及其制作方法。
技术介绍
1、在目前正装led芯片的制备过程中，常用的工序为mesa、i to、pad、pv四道光刻组成。其中mesa工序(台阶，指的是利用干法刻蚀的方式在外延片表面制作n型层裸露区域的工序)、i to工序(指的是透明导电膜层图形工序)、pad工序(指的是电极光刻图形制作的工序)、以及pv工序(指的是钝化层光刻图形制作的工序)。
2、但是采用这些方法制备led芯片工序复杂，成本较高，另一方面mesa工序与i to工序分开作业在微型led芯片上，由于外延过程中高温生长应力无法释放，造成外延边缘曲翘，光刻板无法与基板平行、对齐，造成不同区域易套偏导致需要较大过刻蚀量，使发光区损失，而影响led芯片的亮度，然而如果将mesa/i to工序合并，现有镀膜工艺常采用恒定的镀膜速率、恒定的镀膜温度、及恒定的氧气流量在外延层上制备i to薄膜，该i to薄膜的刻蚀速率差异较小，mesa/i to工序合并后，以光刻胶为掩膜先湿法刻蚀i to薄膜，受i to薄膜与光刻胶之间的粘附性影响，i to薄膜侧向刻蚀无法刻蚀到预算尺寸，导致预留距离不够，刻蚀后易造成mesa与i to搭边引起漏电。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种微型led芯片及其制作方法，以解决现有技术中mesa工序和i to工序分开作业在微型led芯片上，由于外延边缘曲翘造成不同区域易套偏导致需要较大过刻蚀量，使发光区损失，而影响l
2、为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：
3、一种微型led芯片的制作方法，包括：
4、步骤s100、提供一衬底；
5、步骤s200、在所述衬底的一侧表面生长外延结构，所述外延结构沿生长方向依次包括层叠的n型半导体层、有源区和p型半导体层；
6、步骤s300、在所述外延结构的上表面制备ito复合层，所述ito复合层沿所述生长方向依次包括层叠的ito导电层和ito掩蔽层，且所述ito掩蔽层的刻蚀速率大于所述ito导电层的刻蚀速率；
7、所述步骤s300具体包括以下工序：
8、步骤s301、设置反应腔内部的真空度、采用第一镀膜温度、第一镀膜速率，通入第一氧气流量生长所述ito导电层；
9、步骤s302、维持反应腔内部的真空度，停止通入氧气，温度降低至第二镀膜温度，镀膜速率提高至第二镀膜速率生长所述ito掩蔽层；
10、步骤s400、在所述ito复合层的部分上表面制备mesa/ito光刻图形，并刻蚀所述ito复合层形成悬空结构，使ito掩蔽层的侧向刻蚀深度大于ito导电层的侧向刻蚀深度，软化所述mesa/ito光刻图形，使其呈上窄下宽结构并包覆住刻蚀后的所述ito复合层的裸露面及所述p型半导体层的部分表面；
11、步骤s500、以mesa/i to光刻图形为掩膜，通过一次干法刻蚀工艺同时形成n型区台面及p型区台面，并显露所述ito导电层，所述p型区台面与所述n型区台面之间的刻蚀面为倾斜侧壁；
12、步骤s600、通过rta工艺，对ito导电层进行合金，使其与所述p型半导体层之间形成良好的欧姆接触；
13、步骤s700、在所述n型区台面和ito导电层上表面分别形成n型电极和p型电极；
14、步骤s800、沉积整面绝缘保护层，并在所述绝缘保护层对应所述n型电极和p型电极的位置分别形成n型焊盘开口和p型焊盘开口，所述绝缘保护层覆盖所述ito导电层及所述外延结构的裸露面。
15、优选地，在所述步骤s300中，所述ito掩蔽层与所述ito导电层的刻蚀选择比范围为10:1-100:1。
16、优选地，在所述步骤s301中，所述反应腔内部的真空度范围为1.0×10-5torr-1.0×10-4torr，不包括端点值；所述第一镀膜温度范围为200℃-350℃，包括端点值；所述第一镀膜速率范围为0.5a/s-1.5a/s，包括端点值；所述第一氧气流量范围为5sccm-30sccm，包括端点值；
17、在所述步骤s302中，所述第二镀膜温度范围为20℃-100℃，包括端点值；所述第二镀膜速率范围为2.5a/s-5a/s，包括端点值。
18、优选地，所述步骤s400具体包括以下工序：
19、步骤s401、在所述i to复合层的上表面沉积整层光刻胶，图形化所述光刻胶形成mesa/i to光刻图形，所述mesa/i to光刻图形与所述i to复合层接触面的边沿位置为第一端部；
20、步骤s402、通过湿法刻蚀工艺一次刻蚀所述i to复合层形成悬空结构，并露出部分所述p型半导体层；
21、具体的，采用i to刻蚀液沿露出的所述i to复合层刻蚀，并侧向刻蚀所述i to复合层的侧壁，以使所述mesa/i to光刻图形与所述i to复合层接触面的周边区域悬空而构成悬空结构；
22、步骤s403、采用加热方式软化所述mesa/i to光刻图形，使其呈上窄下宽结构并包覆住刻蚀后的所述i to复合层的裸露面及所述p型半导体层的部分表面，所述mesa/i to光刻图形与所述p型半导体层接触面的边沿位置为第二端部；
23、其中，所述i to掩蔽层的侧向刻蚀深度为刻蚀后的i to掩蔽层边沿与所述第一端部的水平距离；i to导电层的侧向刻蚀深度为刻蚀后的i to导电层边沿与所述第一端部的水平距离。
24、优选地，刻蚀后的ito掩蔽层边沿与所述第一端部的水平距离等于刻蚀后的i to掩蔽层边沿与所述第二端部的水平距离，且皆为第一预设长度；
25、刻蚀后的i to导电层边沿与所述第一端部的水平距离等于刻蚀后的i to导电层边沿与所述第二端部的水平距离，且皆为第二预设长度；
26、所述倾斜侧壁的长度为第三预设长度；所述i to导电层与所述倾斜侧壁的间距为第四预设长度；倾斜侧壁与n型区台面所在平面之间的锐角为θ；
27、所述第一预设长度为l1，所述第二预设长度为l2，所述第三预设长度为l3，所述第四预设长度为l4，则，l4＝l2-l3cosθ。
28、优选地，所述l1>3.5um，所述l2>2.5um，所述l3的长度范围为1.0um-2.5um，所述l4的长度范围为0.5um-2um。
29、优选地，在步骤s401中，形成mesa/i to光刻图形包括：在所述i to复合层的上表面通过匀胶、曝光、显影工艺露出部分所述i to复合层，采用第一坚膜温度，形成所述mesa/ito光刻图形；
30、在步骤s403中，采用加热方式软化所述mesa/ito光刻图形包括：采用第二坚膜温度软化所述mesa/本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种微型LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微型LED芯片的制作方法，其特征在于：在所述步骤S300中，所述ITO掩蔽层与所述ITO导电层的刻蚀选择比范围为10:1-100:1。
3.根据权利要求1所述的微型LED芯片的制作方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的微型LED芯片的制作方法，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的微型LED芯片的制作方法，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的微型LED芯片的制作方法，其特征在于：所述L1>3.5um，所述L2>2.5um，所述L3的长度范围为1.0um-2.5um，所述L4的长度范围为0.5um-2um。
7.根据权利要求4所述的微型LED芯片的制作方法，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的微型LED芯片的制作方法，其特征在于：所述T1的温度范围为80℃-110℃，所述T2的温度范围为110-150℃。
9.根据权利要求1所述的微型LED芯片的制作方法，其特征在于：
10.根
11.根据权利要求1所述的微型LED芯片的制作方法，其特征在于：所述ITO复合层的厚度范围为1100A-6000A，包括端点值；所述ITO掩蔽层的厚度范围为300A-5000A，包括端点值。
12.根据权利要求1所述的微型LED芯片的制作方法，其特征在于：所述ITO复合层为透明导电铟锡氧化物材料。
13.一种微型LED芯片，其特征在于，所述微型LED芯片采用权利要求1～12任意一项所述的微型LED芯片的制作方法制作而成。
...【技术特征摘要】
1.一种微型led芯片的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微型led芯片的制作方法，其特征在于：在所述步骤s300中，所述ito掩蔽层与所述ito导电层的刻蚀选择比范围为10:1-100:1。
3.根据权利要求1所述的微型led芯片的制作方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的微型led芯片的制作方法，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的微型led芯片的制作方法，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的微型led芯片的制作方法，其特征在于：所述l1>3.5um，所述l2>2.5um，所述l3的长度范围为1.0um-2.5um，所述l4的长度范围为0.5um-2um。
7.根据权利要求4所述的微型led芯片的制作方法，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的微型led芯片的制作方法，其特征在于：所述t1的温度范围为80℃-110℃，...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟，蔡书卫，曹衍灿，邬新根，王恩泽，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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