发光二极管芯片制造技术

本发明专利技术揭露一种发光二极管芯片，包含一基板、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一N型电极层以及一P型电极层。N型半导体层是设置于基板上。发光层是设置于N型半导体层上。P型半导体层是设置于发光层上。N型电极层是设置于N型半导体层上。P型电极层是设置于P型半导体层上，且P型电极层包含多个封闭回路图案，这些封闭回路图案分别环绕着部分N型电极层。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术揭露一种发光二极管芯片，包含一基板、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一N型电极层以及一P型电极层。N型半导体层是设置于基板上。发光层是设置于N型半导体层上。P型半导体层是设置于发光层上。N型电极层是设置于N型半导体层上。P型电极层是设置于P型半导体层上，且P型电极层包含多个封闭回路图案，这些封闭回路图案分别环绕着部分N型电极层。【专利说明】发光二极管芯片
本专利技术是有关于一种发光装置，且特别是有关于一种发光二极管芯片。
技术介绍
基于环保与节能的趋势，具有低耗电、高效率等优势的发光二极管(LightEmitting Diode, LED)已逐渐取代传统的鹤丝灯泡等高耗电的光源。目前常见的发光二极管芯片是在一基板上设置一磊晶堆叠结构，此磊晶堆叠结构是由一 N型半导体层、一发光层及一 P型半导体层依序层叠而成。N型半导体层上方设有N型电极，而P型半导体层上方设有P型电极。当N型电极与P型电极通电时，可驱使N型半导体层及P型半导体层的电子空穴于发光层中结合，而电子空穴结合后所释放的能量则会以光的形式释出。现有发光二极管的N型电极及P型电极通常为两个圆点状的导电图案，其分别配置于发光二极管芯片顶面上的两个对角，以电性连接导线。然而，倘若将这样的电极配置方式用于较大尺寸的发光二极管芯片时，容易造成对角线以外的其他区域的电流不足，使得电流分布不均，进而造成热能集中、发光区域不均勻等问题。此外，电流分布的不均勻亦会造成发光二极管芯片的电压极限(又可称正向电压Vf)的上升，导致需要更大的电压来驱动发光二极管芯片发光，而降低能量的转换效率。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术的一技术方案是在提供一种发光二极管芯片，其目的是在于帮助电流及发光区域分布得更为均匀，并减少热能集中、电压极限上升的现象。为了达到上述目的,依据本专利技术的一实施方式,一种发光二极管芯片包含一基板、一 N型半导体层、一发光层、一 P型半导体层、一 N型电极层以及一 P型电极层。N型半导体层是设置于基板上。发光层是设置于N型半导体层上。P型半导体层是设置于发光层上。N型电极层是设置于N型半导体层上。P型电极层是设置于P型半导体层上，且P型电极层包含多个封闭回路图案，这些封闭回路图案分别环绕着部分N型电极层。于本专利技术的一或多个实施方式中，封闭回路图案是彼此相邻成一列，且N型电极层包含多个N型电极图案，分别被封闭回路图案所环绕。于本专利技术的一或多个实施方式中，部分N型电极图案包含一 N型打线区域，部分封闭回路图案包含一 P型打线区域，而P型打线区域是位于封闭回路图案上与N型打线区域距离最远的一第一角落。于本专利技术的一或多个实施方式中，封闭回路图案上与N型打线区域距离最近的一第二角落为第一角落的对角。于本专利技术的一或多个实施方式中，N型电极层还包含一电极连接图案，连接N型电极图案。于本专利技术的一或多个实施方式中，部分封闭回路图案是跨过电极连接图案的上方。本专利技术的一或多个实施方式中，发光二极管芯片还包含至少一绝缘层，设置于电极连接图案与封闭回路图案之间。于本专利技术的一或多个实施方式中，绝缘层的材料为透光氧化物。于本专利技术的一或多个实施方式中，N型电极图案呈条状且相互平行。于本专利技术的一或多个实施方式中，N型电极图案与电极连接图案组合呈U形。于本专利技术的一或多个实施方式中，N型电极图案呈U形。于本专利技术的一或多个实施方式中，封闭回路图案各包含一 P型延伸电极，其是由封闭回路图案的边缘垂直延伸入U形开口中。于本专利技术的一或多个实施方式中，封闭回路图案呈矩形。于本专利技术的一或多个实施方式中，封闭回路图案是以二维阵列的形式排列。于本专利技术的一或多个实施方式中，任一封闭回路图案的相邻两侧均邻接着其他封闭回路图案。于本专利技术的一或多个实施方式中，N型电极层包含多个N型电极图案,其中该些N型电极图案彼此相交，且其相交处是位于相邻四个该些封闭回路图案的交接处下方。于本专利技术的一或多个实施方式中，N型电极图案各包含一 N型打线区域，被部分的封闭回路图案所环绕，而另一部分的封闭回路图案各包含一 P型打线区域。此P型打线区域是位于封闭回路图案上与N型打线区域距离最远的一第一角落。于本专利技术的一或多个实施方式中，发光二极管芯片还包含一绝缘层，设置于N型电极图案的交接处与其上方的封闭回路图案之间。于本专利技术的一或多个实施方式中，绝缘层的材料为透光氧化物。于本专利技术的一或多个实施方式中，N型电极图案呈条状。于本专利技术的一或多个实施方式中，N型电极图案相互垂直。于上述实施方式中，由于P型半导体层的每个封闭回路图案均围绕着部分N型电极层，故P型电极层与N型电极层之间的距离会比传统位于对角的N型电极层与P型电极层更近，从而帮助电流分布得更均匀，以使得发光二极管芯片的发光区域更为均匀，并减少热能集中及电压极限上升的现象。以上所述仅是用以阐述本专利技术所欲解决的问题、解决问题的技术手段、及其产生的功效等等，本专利技术的具体细节将在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。【专利附图】【附图说明】为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下:图1绘示依据本专利技术的第一实施方式的发光二极管芯片的俯视图；图2绘示图1的发光二极管芯片沿着A-A’线的剖面图；图3绘示依据本专利技术第二实施方式的俯视图；图4绘示图3的发光二极管芯片沿着B-B’线的剖面图；图5绘示依据本专利技术的第三实施方式的发光二极管芯片的俯视图；图6绘示图5的发光二极管芯片沿着C-C’线的剖面图；图7绘示依据本专利技术的第四实施方式的俯视图；图8绘示依据本专利技术的第五实施方式的发光二极管芯片的俯视图；图9绘示图8的发光二极管芯片沿着D-D’线的剖面图。【主要元件符号说明】10:基板20:N型半导体层30，31，32，34:发光层40,41,42,44:P 型半导体层50，51，52，53，54:N 型电极层500，510，520，530，540:N 型电极图案502，512，522，532，542a, 542b:N 型打线区域504, 514，524，534，544:条状电极图案516，526:电极连接图案528:N型延伸电极531:U 形开口`60，61，62，63，64:P 型电极层600, 610, 620, 630, 640:封闭回路图案602，612，622，632，642a, 642b:P 型打线区域604, 614, 634, 644a, 644b:第一角落606, 616, 636, 646a, 646b:第二角落638:P型延伸电极81，82，84:绝缘层【具体实施方式】以下将以附图揭露本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，熟悉本领域的技术人员应当了解到，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节并非必要的，因此不应用以限制本专利技术。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。第一实施方式图1绘示依据本专利技术的第一实施方式的发光二极管芯片的俯视图。图2绘示图1的发光二极管芯片沿着A-A’线的剖面图。如图1及图2所示，本实施方式的发光二极管芯片可包含一基板10、一 N型半导体层20、一发光层30、一 P型半导体层40、一 N型电极层50以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管芯片，其特征在于，包含：一基板；一N型半导体层，设置于该基板上；一发光层，设置于该N型半导体层上；一P型半导体层，设置于该发光层上；一N型电极层，设置于该N型半导体层上；以及一P型电极层，设置于该P型半导体层上，该P型电极层包含多个封闭回路图案，该些封闭回路图案分别环绕着部分该N型电极层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：蔡沛修，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71