发光二极管芯片制造技术

提出一种发光二极管芯片，其具有：半导体本体（1），所述半导体本体包括产生辐射的有源区域（13）；用于电接触有源区域的至少两个接触部位（2a，2b）；载体（3），以及-连接机构（4），所述连接机构设置在载体（3）和半导体本体（1）之间，其中半导体本体（1）在其朝向载体（3）的外面上具有粗化部（15）；半导体本体（1）借助于连接机构（4）与载体（3）机械地连接；连接机构（4）局部地与半导体本体（1）和载体（3）直接接触，并且至少两个接触部位（2a，2b）设置在半导体本体（1）的背离载体（3）的上侧上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
提出一种发光二极管芯片。
技术实现思路
要实现的目的在于，提出一种发光二极管芯片，其能够特别低成本地制造。根据发光二极管芯片的至少一个实施形式，发光二极管芯片包括具有产生辐射的区域的半导体本体。例如，半导体本体包括η型传导区域、P型传导区域和至少一个产生辐射的有源区域，所述有源区域设置在η型传导区域和P型传导区域之间。在此，半导体本体例如基于III/V族化合物半导体材料。III/V族化合物半导体材料具有至少一种第三主族中的元素和第五主族中的元素，其中所述第三主族元素例如为B、Al、Ga、In，而第五主族元素例如为N、P、As。尤其，术语“ III/V族化合物半导体材料”包括二元、三元或四元化合物的组,所述化合物包括至少一个第三主族中的元素和至少一个第五主族中的元素，例如氮化物化合物半导体和磷化物化合物半导体。此外，这种二元、三元或四元化合物例如具有一种或多种掺杂材料以及附加的组分。根据发光二极管芯片的至少一个实施形式，发光二极管芯片包括至少两个用于电接触有源区域的接触部位。例如，发光二极管芯片包括刚好两个接触部位。借助于接触部位中的一个能够在P侧接触有源区域，借助于另一接触部位能够本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.02 DE 102010036180.11.发光二极管芯片，具有 -半导体本体(I)，所述半导体本体包括产生辐射的有源区域(13 )， -用于电接触所述有源区域的至少两个接触部位(2a，2b )， -载体(3)，以及 -连接机构(4 )，所述连接机构设置在所述载体(3 )和所述半导体本体(I)之间，其中 -所述半导体本体(I)在其朝向载体(3)的外面上具有粗化部(15)， -所述半导体本体(I)借助于所述连接机构(4)与所述载体(3)机械地连接， -所述连接机构(4)局部地与所述半导体本体(I)和所述载体(3)直接接触，并且-所述至少两个接触部位(2a，2b)设置在所述半导体本体(I)的背离所述载体(3)的上侧上。2.根据前一项权利要求所述的发光二极管芯片，其中 -所述载体(3)是辐射能穿透的， -所述载体(3)的朝向所述半导体本体(I)的所述上侧是蓝宝石A平面， -所述连接机构(4)是电绝缘的粘结材料， -所述连接机构(4)是福射能穿透的， -所述半导体本体(I)局部地与所述载体(3 )直接接触，并且 -所述粗化部(15)具有凸起部(15b)和凹陷部(15a)，其中所述连接机构(4)至少局部地设置在所述凹陷部(15a)中，并且所述凸起部(15b)的尖部局部地没有连接机构(4)。3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片， 其中 -所述连接机构(4)是电绝缘的粘结材料， -所述连接机构(4)是福射能穿透的， -所述半导体本体(I)局部地与所述载体(3 )直接接触，并且 -所述粗化部(15)具有凸起部(I 5b)和凹陷部(15a)，其中所述连接机构(4 )至少局部地设置在...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢茨·赫佩尔，诺温·文马尔姆，马蒂亚斯·扎巴蒂尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：
国别省市：