用于制造半导体器件的方法技术

根据用于制造半导体器件的方法的至少一个实施方式，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第一横向热膨胀系数的辅助载体施加在半导体本体的第一侧上。此外，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第二横向热膨胀系数的连接载体施加在所述半导体本体的第二侧上，所述第二侧背离所述辅助载体。在此，所述半导体本体施加在与所述辅助载体不同的生长衬底上，所述第一横向热膨胀系数和所述第二横向热膨胀系数相差最多50％，以及在施加所述辅助载体(40)之前去除所述生长衬底(30)。之前去除所述生长衬底(30)。之前去除所述生长衬底(30)。

【技术实现步骤摘要】
用于制造半导体器件的方法
[0001]本专利技术申请是申请日期为2017年12月15日、申请号为“201780077998.7”、专利技术名称为“用于制造半导体器件的方法”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]提出一种用于制造半导体器件的方法。

技术实现思路

[0003]要解决的目的在于，提出一种有效的用于制造半导体器件的方法。
[0004]根据用于制造半导体器件的方法的至少一个实施方式，该方法包括如下方法步骤：其中将辅助载体施加在半导体本体的第一侧上。
[0005]辅助载体可以是盘形的或方形的本体。例如，辅助载体是晶片。例如，辅助载体在横向方向上与在竖直方向上相比具有更大的扩展。
[0006]横向方向在此是如下方向，所述方向平行于辅助载体的主延伸平面伸展。竖直方向垂直于横向方向伸展。
[0007]辅助载体具有第一横向热膨胀系数。横向热膨胀系数与横向方向有关。横向热膨胀系数因此描述辅助载体对于给定的温度差在横向方向上的扩展。
[0008]辅助载体可以由硅或由具有匹配的横向热膨胀系数的玻璃形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造半导体器件(10)的方法，所述方法具有如下步骤：
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将具有第一横向热膨胀系数的辅助载体(40)施加在半导体本体(20)的第一侧(27)上，以及
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将具有第二横向热膨胀系数的连接载体(60)施加在所述半导体本体(20)的第二侧(28)上，所述第二侧背离所述辅助载体(40)，其中
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在与所述辅助载体(40)不同的生长衬底(30)上生长所述半导体本体(20)，
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所述第一横向热膨胀系数和所述第二横向热膨胀系数相差最多50％，以及
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在施加所述辅助载体(40)之前去除所述生长衬底(30)，和
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在施加所述连接载体(60)之后去除所述辅助载体(40)。2.一种用于制造半导体器件(10)的方法，所述方法具有如下步骤：
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将具有第一横向热膨胀系数的辅助载体(40)施加在半导体本体(20)的第一侧(27)上，以及
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将具有第二横向热膨胀系数的连接载体(60)施加在所述半导体本体(20)的第二侧(28)上，所述第二侧背离所述辅助载体(40)，其中
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在与所述辅助载体(40)不同的生长衬底(30)上生长所述半导体本体(20)，
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所述半导体本体(20)的所述第二侧(28)背离所述生长衬底(30)，
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所述第一横向热膨胀系数和所述第二横向热膨胀系数相差最多50％，以及
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在施加所述辅助载体(40)之前，将中间载体(50)施加在所述半导体本体(20)的所述第二侧(28)上。3.根据权利要求1或2所述的用于制造半导体器件(10)的方法，其中在所述辅助载体(40)和所述半导体本体(20)之间设置有牺牲层(41)，所述牺牲层不是外延制造的。4.根据权利要求3所述的用于制造半导体器件(10)的方法，其中在施加所述连接载体(60)之后，将所述牺牲层(41)从所述半导体本体(20)去除。5.根据权利要求4所述的用于制造半导体器件(10)的方法，其中通过湿化学刻蚀，将所述牺牲层(41)从所述半导体本体(20)去除。6.根据权利要求1或2所述的用于制造半导体器件(10)的方法，其中在...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德烈亚斯，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：