【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光二极管芯片 详细说明了一种发光二极管芯片。文献US2007/0290215A1描述了一种发光二极管芯片。要实现的一个目的在于详细说明一种发光二极管芯片，其在老化方面尤其稳定。根据所述发光二极管芯片的至少一个实施例，所述发光二极管芯片包括n型导电区、P型导电区和布置在所述n型导电区和p型导电区之间的作用区。例如通过相应地掺杂的半导体区来形成所述n型导电区和p型导电区。所述作用区提供为用于在所述发光二极管芯片的操作中产生例如从红外辐射至UV辐射的波长范围的电磁辐射。为此目的，所述作用区可包括例如Pn结、单量子阱结构或多量子阱结构。进一步，所述作用区可能包括多个辐射产生层。所述发光二极管芯片，即，例如所述n型导电区、p型导电区和/或所述作用区，以例如氮化物半导体为基础。其意味着所述区或至少部分所述区包括氮化物化合物半导体材料(例如AlnGamIn1^mN)或由所述材料组成,其中适用如下:0: n ^ 1,0: m ^ I且n+m^ 10在此情况下，所述材料无需一定具有根据上式的数学上精确的组分。相反，其可包括例如一种或多种掺杂剂以及额外组成部分。根据所述发光二极管...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.03 DE 102010033137.61.一种发光二极管芯片，包括 -n型导电区(I)； -P型导电区⑵； -作用区(3)，其在所述n型导电区(I)和p型导电区⑵之间； -镜层(4)，其在所述p型导电区(2)的远离所述作用区(3)的一侧处； -封装层(5)，其在所述镜层(4)的远离所述p型导电区(2)的一侧处；以及-接触层￠)，其在所述封装层(5)的远离所述镜层(4)的一侧处，其中-所述封装层(5)沿着所述镜层(4)的远离所述p型导电区(2)的底部区域(43)和所述镜层⑷的相对于所述底部区域(43)横向伸展的侧面区域(42)进行延伸，以及-所述接触层(6)从其面对所述n型导电区(I)的侧面在适当位置可自由地到达。2.根据前述权利要求的所述发光二极管芯片，其中开口(13)贯穿所述n型导电区(I)、所述P型导电区(2)、所述作用区(3)、所述镜层(4)和所述封装层(5)直至所述接触层(6)。3.根据前述权利要求的所述发光二极管芯片，其中所述镜层(4)的面对所述开口(13)的侧面区域(42)被所述封装层(5)完全地覆盖。4.根据前述权利要求中的任意一项的所述发光二极管芯片，其中所述p型导电区(2)在侧向上在所述开口(13)的区域中伸出所述镜层(4)夕卜。5.根据前述权利要求中的任意一项的所述发光二极管芯片，其中所述接触层(6)至少在所述开口(13)的区域中的适当位置是可线接触连接的。6.根据前述权利要求中的任意一项的所述发光二极管芯片，其中所述接触...
【专利技术属性】
技术研发人员：L·赫佩尔，K·恩格尔，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：
国别省市：
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