【技术实现步骤摘要】
该专利技术可用在3000V及其以上电压等级的大功率IGBT吸收回路中。具体涉及一种新型压接式二极管压接结构。
技术介绍
随着柔性直流输电，风力发电、太阳能发电，中高压变频器等技术的发展，3000V以上电压等级的IGBT运用范围越来越广；其配套的产品也随之产生，并越来越成熟，但在IGBT吸收回路中，却一直没有专用的吸收二极管出现。在3000V以上电压等级的模块式二极管中，为了提高电压等级，其结构一般为两个二极管芯片串联，使用时必须用电阻进行均压，这样就增加了吸收回路的复杂程度。压接式二极管单管耐压值高，其散热方式为双面散热，正常工作时散热要求比较高。但是在大功率IGBT应用领域，一般情况下IGBT开关频率都比较低，对于吸收二极管的散热性要求不高，因此可以利用压接式二极管来设计新型的大功率IGBT专用吸收二极管。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种新型压接式二极管压接结构，该专利技术是针对3000V及以上电压等级的大功率IGBT吸收回路而专门设计的新型压接式二极管压接结构。为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种新型压接式二极管压接结构，包括盖板和缘壳壳体，其特征在于：所述绝缘壳体通过紧固螺钉与盖板进行连接；所述绝缘壳体为中心位置含有空洞的长方体，空洞处嵌入有导电铜柱，导电铜柱为圆柱形，圆柱形导电铜柱的顶部高度大于绝缘壳体的高度，圆柱形导电铜柱的底部设置凸缘，凸缘(的上表面连接碟形弹簧的下表面，碟形弹簧的上表面连接垫圈，垫圈的上端与绝缘壳体的空洞内壁接触；圆柱形导电铜柱的底部表面通过定位销连接压接式二极管；所述绝缘壳体的上表面设置安装孔。进一步地...
【技术保护点】
一种新型压接式二极管压接结构，包括盖板(5)和缘壳壳体(2)，其特征在于：所述绝缘壳体(2)通过紧固螺钉(7)与盖板(5)进行连接；所述绝缘壳体为中心位置含有空洞的长方体，空洞处嵌入有导电铜柱(1)，导电铜柱(1)为圆柱形，圆柱形导电铜柱(1)的顶部高度大于绝缘壳体(2)的高度，圆柱形导电铜柱(1)的底部设置凸缘(10)，凸缘(10)的上表面连接碟形弹簧(4)的下表面，碟形弹簧(4)的上表面连接垫圈(3)，垫圈(3)的上端与绝缘壳体(2)的空洞内壁接触；圆柱形导电铜柱(1)的底部表面通过定位销(8)连接压接式二极管(6)；所述绝缘壳体(2)的上表面设置安装孔(9)。
【技术特征摘要】
1.一种新型压接式二极管压接结构，包括盖板(5)和缘壳壳体(2)，其特征在于：所述绝缘壳体(2)通过紧固螺钉(7)与盖板(5)进行连接；所述绝缘壳体为中心位置含有空洞的长方体，空洞处嵌入有导电铜柱(1)，导电铜柱(1)为圆柱形，圆柱形导电铜柱(1)的顶部高度大于绝缘壳体(2)的高度，圆柱形导电铜柱(1)的底部设置凸缘(10)，凸缘(10)的上表面连接碟形弹簧(4)的下表面，碟形弹簧(4)的上表面连接垫圈(3)，垫圈(3)的上端与绝缘壳体(2)的空洞内壁接触；圆柱形导...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴企尧，李鹏，张朝山，杜济园，
申请(专利权)人：西安开天电力电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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