【技术实现步骤摘要】
双光电二极管裸封结构
本技术涉及一种高精度加速度计，尤其涉及一种双光电二极管裸封结构。
技术介绍
加速度计是工程领域中的常用装置，双光电二极管是其中的重要器件，随着技术的进步，工程领域对加速度计的精度、体积要求也越来越高，缩减加速度计体积的先决条件是缩减其内部器件的体积；现有用于的加速度计的双光电二极管一般采用独立封装结构，结构中除了含有双光电二极管外还包括了封装壳体，这种结构不仅较为复杂，而且封装壳体要占用相当一部分体积，另外，现有的双光电二极管中的光电二极管一般先独立制作然后再将两个光电二极管拼接起来，不仅工艺较为复杂，而且由于两个光电二极管生长于不同衬底上，两个光电二极管电学参数的均一性较差。
技术实现思路
针对
技术介绍
中的问题，本技术提出了一种双光电二极管裸封结构，其改进在于:所述双光电二极管裸封结构由陶瓷基片和两块硅芯片组成；所述硅芯片通过树脂粘结在陶瓷基片的同侧面上，两块硅芯片之间留有间隙。 本技术的原理是:不对双光电二极管进行单独封装，直接将其设置在加速度计内，最后与其他器件一起被加速度计的壳体封装在内；当取消了双光电二极管的独立壳体后，基于现有的芯片工艺极限，双光电二极管的体积可以缩小40%左右，十分利于加速度计体积的进一步小型化。 优选地，所述两块硅芯片由形成于同一衬底层上的一块母片经物理解理而成，物理解理的深度达到陶瓷基片表面，物理解理后所形成的空隙即为所述间隙。采用这种方案得到的双光电二极管，由于其生长于同一衬底层上，两个光电二极管电学参数的均一性较好，可以使加速度计的性能得到改善。 优选地，所述两块...
【技术保护点】
一种双光电二极管裸封结构，其特征在于：所述双光电二极管裸封结构由陶瓷基片（1）和两块硅芯片（2）组成；所述硅芯片（2）通过树脂粘结在陶瓷基片（1）的同侧面上，两块硅芯片（2）之间留有间隙。
【技术特征摘要】
1.一种双光电二极管裸封结构，其特征在于:所述双光电二极管裸封结构由陶瓷基片(I)和两块硅芯片(2)组成；所述硅芯片(2)通过树脂粘结在陶瓷基片(I)的同侧面上，两块硅芯片(2)之间留有间隙。2.根据权利要求1所述的双光电二极管裸封结构，其特征在于:所述两块硅芯片(2)由形成于同一衬底层上的一块母片(3)经物理解理而成，物理解理的深度达到陶瓷基片(I)表面，物理解理后所形成的空隙即为所述间隙。3....
【专利技术属性】
技术研发人员：王波，向勇军，凌茂真，向荣珍，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：新型
国别省市：重庆;85
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