The present invention relates to the field of semiconductor technology, in particular to a junction barrier Schottky diode structure, including: a first conductive type substrate, a first conductive type semiconductor layer, an anode metal layer, insulating layer, terminal protection area, a second conductivity type semiconductor region of the first conductivity type semiconductor layer on the surface to form a plurality of the interval groove, the terminal protection area and the second conductivity type semiconductor region in the trench is formed below, the trench side wall is formed with insulated sidewalls, the grooves are filled with electrically conductive material, the invention has the effect of improving effect of junction barrier Schottky diode PN junction diode voltage performance.
【技术实现步骤摘要】
一种结势垒肖特基二极管
本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种结势垒肖特基结构的二极管。技术背景肖特基二极管是将半导体层与金属层通过肖特基接合、利用肖特基势垒起整流作用的半导体元件。肖特基二极管可以比一般的PN接合二极管更快速地工作,具有顺向电压下降较小的特性,其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用,在通信电源、变频器等中比较常见。但是,肖特基二极管反向偏压较低及反向漏电流偏大。结势垒肖特基(JBS)结构的二极管,是将肖特基和PN结构结合在一起,第一导电类型半导体与金属层形成肖特基接触,同时第一导电类型半导体与金属层接触一侧的表层中形成有多个有一定间隔的第二导电类型半导体,第二导电类型半导体与第一导电类型半导体形成PN结,通过PN势垒排除隧穿电流对最高阻断电压的限制,在高速、高耐压的二极管领域具有很大的优势。但是,结势垒肖特基结构的二极管,第二导电类型半导体由于在第一导电类型半导体与金属层形成的肖特基势垒的附近,因此可能受其影响在与金属层接触处形成空乏层,减小PN结对二极管的耐压性能的改善作用,尤其是二极管边缘区域。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种结势垒肖特基二极管,提高PN结对二极管耐压性能的改善作用。为实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案:一种结势垒肖特基二极管,包括:第一导电类型衬底,形成在所述第一导电类型衬底上的第一导电类型半导体层,形成在所述第一导电类型半导体层上并且与其形成肖特基接触的阳极金属层,形成在所述阳极金属层的边缘至外侧的第一导电类型半导 ...
【技术保护点】
一种结势垒肖特基二极管,包括:第一导电类型衬底,形成在所述第一导电类型衬底上的第一导电类型半导体层,形成在所述第一导电类型半导体层上并且与其形成肖特基接触的阳极金属层,形成在所述阳极金属层的边缘至外侧的第一导电类型半导体层上的绝缘层,形成在所述绝缘层与阳极金属层下方的第二导电类型的终端保护区,形成在所述终端保护区内侧的第一导电类型半导体层上表层中的多个具有一定间隔的第二导电类型半导体区,其特征在于:所述第一导电类型半导体层上表层中形成多个具有一定间隔的沟槽,所述终端保护区与第二导电类型半导体区形成于所述沟槽下方,所述沟槽侧壁形成有绝缘侧壁,所述沟槽内填充导电材料。
【技术特征摘要】
1.一种结势垒肖特基二极管,包括:第一导电类型衬底,形成在所述第一导电类型衬底上的第一导电类型半导体层,形成在所述第一导电类型半导体层上并且与其形成肖特基接触的阳极金属层,形成在所述阳极金属层的边缘至外侧的第一导电类型半导体层上的绝缘层,形成在所述绝缘层与阳极金属层下方的第二导电类型的终端保护区,形成在所述终端保护区内侧的第一导电类型半导体层上表层中的多个具有一定间隔的第二导电类型半导体区,其特征在于:所述第一导电类型半导体层上表层中形成多个具有一定间隔的沟槽,所述终端保护区与第二导电类型半导体区形成于所述沟槽下方,所述沟槽侧壁形成有绝缘侧壁,所述沟槽内填充导电材料。2.根据权利要求1所述的结势垒肖特基二极管,其特征在于:所述导电材料为导电多晶硅。3.根据权利要求1所述的结势垒肖特基二极管,其特征在于:所述终端保护区上方的沟槽深度大于第二导电类型半导体区上方的沟槽深度。4.根据权利要求1所述的结势垒肖特基二极管,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:李风浪,
申请(专利权)人:东莞市联洲知识产权运营管理有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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