The invention relates to a Schottky diode, including semiconductor materials, semiconductor materials; divided into trench anode and cathode region and anode metal layer of the anode region in contact with a semiconductor material, the cathode metal layer of the cathode region in contact with a semiconductor material, wherein a ring groove, the insulating medium filled in the trench near the cathode region, a gate structure is formed within the trench near the anode side of the first gate, the gate structure is formed by the inner wall of the groove of the insulating layer and the conductive polysilicon filled in the trench, the conductive polycrystalline silicon and the metal layer is electrically connected to the anode, the invention can effectively improve the leakage currents the big problem of reverse bias is low and reverse.
【技术实现步骤摘要】
一种肖特基二极管
本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种肖特基二极管。技术背景肖特基二极管是将半导体层与金属层通过肖特基接合、利用肖特基势垒起整流作用的半导体元件。肖特基二极管可以比一般的PN接合二极管更快速地工作,具有顺向电压下降较小的特性,其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用,在通信电源、变频器等中比较常见。但是,肖特基二极管最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大,像使用硅及金属为材料的肖特基二极管,其反向偏压额定耐压最高只到50V。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种肖特基二极管,改善反向偏压较低及反向漏电流偏大问题。为实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案:一种肖特基二极管,包括;半导体材料,将半导体材料分隔为阳极区与阴极区的沟槽,所述阳极区上与半导体材料接触的的阳极金属层,所述阴极区上与半导体材料接触的的阴极金属层,所述沟槽成环状,所述沟槽内靠近阴极区的部分填充绝缘介质,沟槽内靠近阳极区一侧形成栅极结构,所述栅极结构由沟槽内壁形成的第一栅绝缘层与沟槽中填充的导电多晶硅组成,所述导电多晶硅与所述阳极金属层电性连接。优选地,所述阳极金属层与所述导电多晶硅接触实现电性连接。优选地,所述阳极金属层与所述沟槽构成的顶角处形成绝缘区。优选地,所述阳极金属层与所述导电多晶硅通过导电插塞电性连接。优选地,所述导电多晶硅填满沟槽,并且高度超过沟槽口表面,在所述沟槽口处偏向阳极区一侧向外扩展,使得沟槽外导电多晶硅的宽度大于沟槽内导电多晶硅的宽度,所述沟槽外的导电多晶硅 ...
【技术保护点】
一种肖特基二极管,包括:半导体材料,将半导体材料分隔为阳极区与阴极区的沟槽,所述阳极区上与半导体材料接触的的阳极金属层,所述阴极区上与半导体材料接触的的阴极金属层,其特征在于:所述沟槽成环状,所述沟槽内靠近阴极区的部分填充绝缘介质,沟槽内靠近阳极区一侧形成栅极结构,所述栅极结构由沟槽内壁形成的第一栅绝缘层与沟槽中填充的导电多晶硅组成,所述导电多晶硅与所述阳极金属层电性连接。
【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管,包括:半导体材料,将半导体材料分隔为阳极区与阴极区的沟槽,所述阳极区上与半导体材料接触的的阳极金属层,所述阴极区上与半导体材料接触的的阴极金属层,其特征在于:所述沟槽成环状,所述沟槽内靠近阴极区的部分填充绝缘介质,沟槽内靠近阳极区一侧形成栅极结构,所述栅极结构由沟槽内壁形成的第一栅绝缘层与沟槽中填充的导电多晶硅组成,所述导电多晶硅与所述阳极金属层电性连接。2.根据权利要求1所述的肖特基二极管,其特征在于:所述阳极金属层与所述导电多晶硅接触实现电性连接。3.根据权利要求2所述的肖特基二极管,其特征在于:所述阳极金属层与所述沟槽构成的顶角处形成绝缘区。4.根据权利要求1所述的肖特基二极管,其特征在于:所述阳极金属层与所述导电多晶硅通过导电插塞电性连接。5.根据权利要求4所述的肖特基二极管,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:李风浪,
申请(专利权)人:东莞市联洲知识产权运营管理有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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