一种ZnO肖特基二极管制造技术

本发明专利技术的ＺｎＯ肖特基二极管是在衬底的正面自下而上依次沉积第一金属电极层、ＺｎＯ晶体膜外延层和第二金属电极层而构成。本发明专利技术的ＺｎＯ肖特基二极管，由于欧姆接触与肖特基接触的电极直接在ＺｎＯ外延层的两侧，可避免因衬底造成的串联电阻过大而导致器件的理想因子偏高，利于提高截止频率。采用ＺｎＯ薄膜，原料丰富，价格低廉，且适合高温、高频工作，抗辐射能力强；此外，有多种衬底适合ＺｎＯ薄膜的沉积，使得器件结构设计比较灵活，制备工艺也简单。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件。具体说涉及ZnO肖特基二极管。
技术介绍
肖特基二极管，特别是调频肖特基二极管可广泛应用于微波混频、检波及高速开关电路等领域。传统的肖特基二极管，其欧姆接触电极直接设在衬底的背面，在衬底的正面自下而上依次沉积外延层和金属电极层，外延层的厚度均在2μm以上。这种肖特基二极管的衬底串联电阻较大，截止频率较低，故其应用场合受到极大限制。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种利于提高二极管性能的ZnO肖特基二极管。ZnO肖特基二极管是在衬底的正面自下而上依次沉积第一金属电极层、ZnO晶体膜外延层和第二金属电极层而构成。通常，使ZnO晶体膜外延层的厚度在0.3～1μm。本专利技术的ZnO肖特基二极管，其第一金属电极层和ZnO外延层形成了欧姆接触，第二金属电极层和ZnO外延层形成了肖特基接触。由于欧姆接触与肖特基接触的电极直接在ZnO外延层的两侧，可避免因衬底造成的串联电阻过大而导致器件的理想因子偏高，利于提高截止频率。采用ZnO薄膜，原料丰富，价格低廉，且适合高温、高频工作，抗辐射能力强；此外，有多种衬底适合ZnO薄膜的沉积，使得器件结构设计比较灵活，制备工艺也简单。附图说明图1是ZnO肖特基二极管的结构示意图；图2是ZnO肖特基二极管的整流特性。具体实施例方式参照图1，本专利技术的ZnO肖特基二极管是在衬底1的正面自下而上依次沉积第一金属电极层2、ZnO晶体膜外延层3和第二金属电极层4而构成。其中衬底可以是硅、金属或玻璃。ZnO晶体膜外延层的厚度在0.3～1μm。第一、第二金属层可以是任意金属，一般，第一金属层采用铝，第二金属层采用铂为好。. 制备时，先按常规方法对衬底进行清洗，然后在衬底上用真空蒸发沉积第一金属层，如铝膜，再用磁控溅射沉积法在铝膜上沉积ZnO晶体膜层，用光刻工艺在ZnO薄膜上制作第二金属电极层，如铂电极。本专利技术的ZnO肖特基二极管用J-V测试显示，见图2所示，它具有明显的整流特性，可适应通讯，微波技术的发展。权利要求1.一种ZnO肖特基二极管，包括衬底(1)，其特征在于它是在衬底的正面自下而上依次沉积第一金属电极层(2)、ZnO晶体膜外延层(3)和第二金属电极层(4)而构成。2.根据权利要求1所述的ZnO肖特基二极管，其特征是ZnO晶体膜外延层(3)的厚度为0.3～1μm。3.根据权利要求1所述的ZnO肖特基二极管，其特征是所说的第一金属电极层(2)是铝，第二金属电极层(4)是铂。全文摘要本专利技术的ZnO肖特基二极管是在衬底的正面自下而上依次沉积第一金属电极层、ZnO晶体膜外延层和第二金属电极层而构成。本专利技术的ZnO肖特基二极管，由于欧姆接触与肖特基接触的电极直接在ZnO外延层的两侧，可避免因衬底造成的串联电阻过大而导致器件的理想因子偏高，利于提高截止频率。采用ZnO薄膜，原料丰富，价格低廉，且适合高温、高频工作，抗辐射能力强；此外，有多种衬底适合ZnO薄膜的沉积，使得器件结构设计比较灵活，制备工艺也简单。文档编号H01L29/872GK1405899SQ0213732公开日2003年3月26日 申请日期2002年9月28日 优先权日2002年9月28日专利技术者叶志镇, 李蓓, 黄靖云, 张海燕 申请人:浙江大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＺｎＯ肖特基二极管，包括衬底（１），其特征在于它是在衬底的正面自下而上依次沉积第一金属电极层（２）、ＺｎＯ晶体膜外延层（３）和第二金属电极层（４）而构成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶志镇，李蓓，黄靖云，张海燕，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]