一种ZnO肖特基二极管制造技术

本发明专利技术的ＺｎＯ肖特基二极管是在衬底的正面自下而上依次沉积第一金属电极层、ＺｎＯ晶体膜外延层和第二金属电极层而构成。本发明专利技术的ＺｎＯ肖特基二极管，由于欧姆接触与肖特基接触的电极直接在ＺｎＯ外延层的两侧，可避免因衬底造成的串联电阻过大而导致器件的理想因子偏高，利于提高截止频率。采用ＺｎＯ薄膜，原料丰富，价格低廉，且适合高温、高频工作，抗辐射能力强；此外，有多种衬底适合ＺｎＯ薄膜的沉积，使得器件结构设计比较灵活，制备工艺也简单。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件。具体说涉及ZnO肖特基二极管。
技术介绍
肖特基二极管，特别是调频肖特基二极管可广泛应用于微波混频、检波及高速开关电路等领域。传统的肖特基二极管，其欧姆接触电极直接设在衬底的背面，在衬底的正面自下而上依次沉积外延层和金属电极层，外延层的厚度均在2μm以上。这种肖特基二极管的衬底串联电阻较大，截止频率较低，故其应用场合受到极大限制。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种利于提高二极管性能的ZnO肖特基二极管。ZnO肖特基二极管是在衬底的正面自下而上依次沉积第一金属电极层、ZnO晶体膜外延层和第二金属电极层而构成。通常，使ZnO晶体膜外延层的厚度在0.3～1μm。本专利技术的ZnO肖特基二极管，其第一金属电极层和ZnO外延层形成了欧姆接触，第二金属电极层和ZnO外延层形成了肖特基接触。由于欧姆接触与肖特基接触的电极直接在ZnO外延层的两侧，可避免因衬底造成的串联电阻过大而导致器件的理想因子偏高，利于提高截止频率。采用ZnO薄膜，原料丰富，价格低廉，且适合高温、高频工作，抗辐射能力强；此外，有多种衬底适合ZnO薄膜的沉积，使得器件结构设计比较灵活，制备工艺也简本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＺｎＯ肖特基二极管，包括衬底（１），其特征在于它是在衬底的正面自下而上依次沉积第一金属电极层（２）、ＺｎＯ晶体膜外延层（３）和第二金属电极层（４）而构成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶志镇，李蓓，黄靖云，张海燕，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]