【技术实现步骤摘要】
专利说明半导体器件 本专利技术涉及半导体器件，尤其是涉及为了将密封有一个或多个芯片的半导体器件层叠在一起用的半导体器件，或者是将密封有一个或多个芯片的半导体器件层叠在一起了的半导体器件。近年来，为了适应电子装置的小型化、高功能化的要求，用于电子装置的半导体器件的小型化、高功能化的研究开发正取得令人瞩目的进展。尤其与之相关的，将密封有芯片的多个半导体器件层叠起来，以提高半导体器件安装密度的技术已被提出多种。以下就有关现有的进行层叠的半导体器件的若干种形态作一简单说明。附图说明图10是示出现有的半导体器件的简略剖面图(例如参照特开平9-153561号公报)。在该图中，6为芯片、7为芯片6上的电极焊接区与引线作电连接的导线、31A、31B为半导体器件、32为密封芯片6的封装、32a为封装32上表面、32c为封装32的下表面、33为从封装32的内部向外部延伸的引线。如图10所示，半导体器件31A、31B的引线33在封装32的内部，其一端经导线7连接到芯片6。而且，引线33露出在封装32的上表面32a一侧，紧贴着封装32，从封装32的侧面延伸到下表面32c的端部。在这里，露出...
【技术保护点】
一种半导体器件，具备密封单个或多个芯片的封装；以及在上述封装内部与上述单个或多个芯片进行电连接、同时从上述封装的内部向外部延伸的多条引线，其特征在于：上述封装的上表面具备突出面和对该突出面有台阶差的平台面；上述多条引线在上述平台 面上具备为在上述封装上方层叠另外的半导体器件用的引线结合部；以及上述引线结合部的引线宽度，比上述引线中的其他部分的引线宽度要宽。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：道井一成，笠谷泰司，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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