基于调制掺杂的GaN肖特基二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于调制掺杂的GaN肖特基二极管，属于半导体器件领域。本实用新型专利技术包括用于支撑整个GaN肖特基二极管的半绝缘的衬底层、在衬底层上生长的高掺杂的N+型GaN层，以及在N+型GaN层上采用调制掺杂生长的N-型GaN层；N-型GaN层的掺杂浓度从N+型GaN层的界面处开始非均匀分布；在N+型GaN层上生长欧姆接触电极；在N-型GaN层上生长有肖特基接触电极。本实用新型专利技术利用调制掺杂方式在N+型GaN层上生长N-型GaN层，提高了GaN材料的迁移率，改善了材料中电子浓度分布，减小了二极管的肖特基结电容，提高了其工作频率，进而提高了毫米波和太赫兹范围内倍频电路的工作频率和输出功率；通过控制调制掺杂可以有效控制肖特基二极管的变容比，提高器件的Q值。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于调制掺杂的GaN肖特基二极管，其特征在于包括用于支撑整个GaN肖特基二极管的半绝缘的衬底层（101）、在所述衬底层（101）上生长的高掺杂的N+型GaN层（102），以及在所述N+型GaN层（102）上采用调制掺杂生长的N?型GaN层（103），N?型GaN层（103）的掺杂浓度从N+型GaN层（102）的界面处开始为非均匀分布；在所述的N+型GaN层（102）上生长欧姆接触电极（104）；在所述的N?型GaN层（103）上生长有肖特基接触电极（105）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁士雄，冯志红，房玉龙，邢东，王俊龙，张立森，杨大宝，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：实用新型
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