【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件，尤其是一种肖特基二极管。
技术介绍
肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，肖特基二极管也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅O. 4V左右，而整流电流却可达到几千毫安，这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基二极管大多采用封装形式，但封装上都不显示肖特基二极管的工作参数，使用不便捷。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是基于上述问题，本专利技术提供一种可以清楚显示出工作参数的肖特基二极管。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种肖特基二极管，包括二极管本体，所述的二极管本体以N型半导体为基片，在基片上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层，N-外延层上面有与其接触的阳极金属，阳极金属的边缘区域设置有二氧化硅层，在基片下边形成有N+阴极层，N+阴极层下面有与其接触的阴极金属，阳极金属和阴极金属对外各引出一个电极，所述的二极管本体塑封在环氧树脂管内，环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层。 所述的涂层的原料为紫外光固化油墨，可经过氟利昂、酒精、异丙醇及类似溶剂清洗，涂层也不会剥落。本专利技术的有益效果是本专利技术结构简单，二极管本体塑封在环氧树脂管内确保其电气特性不受影响，环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层，方便正确使用。附图...
【技术保护点】
肖特基二极管，包括二极管本体(1)，其特征在于：所述的二极管本体(1)以N型半导体为基片(2)，在基片(2)上面形成用砷作掺杂剂的N?外延层(3)，N?外延层(3)上面有与其接触的阳极金属(4)，阳极金属(4)的边缘区域设置有二氧化硅层(5)，在基片(2)下边形成有N+阴极层(6)，N+阴极层(6)下面有与其接触的阴极金属(7)，阳极金属(4)和阴极金属(7)对外各引出一个电极(8)，所述的二极管本体(1)塑封在环氧树脂管(9)内，环氧树脂管(9)外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体(1)工作参数的涂层(10)。
【技术特征摘要】
1.肖特基二极管，包括二极管本体(I)，其特征在于所述的二极管本体(I)以N型半导体为基片(2)，在基片(2)上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层(3)，N-外延层(3)上面有与其接触的阳极金属(4)，阳极金属(4)的边缘区域设置有二氧化硅层(5)，在基片(2)下边形成有N+阴极层(6)，N+阴极层(6)下...
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