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本发明涉及一种半导体器件，尤其是一种肖特基二极管。肖特基二极管，包括二极管本体，所述的二极管本体以N型半导体为基片，在基片上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层，N-外延层上面有与其接触的阳极金属，阳极金属的边缘区域设置有二氧化硅层，在基片下边形...
该专利属于孔明所有，仅供学习研究参考，未经过孔明授权不得商用。

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