太赫兹肖特基二极管的制造方法技术

本发明专利技术提供了太赫兹肖特基二极管的制造方法，包括：在砷化镓半导体衬底上依次形成高浓度掺杂砷化镓层和低浓度掺杂砷化镓层；在高浓度掺杂砷化镓层上形成欧姆接触阴极和欧姆接触金属；在低掺杂浓度砷化镓层上形成具有小孔的二氧化硅层；形成肖特基接触阳极；形成欧姆接触阴极压点、肖特基接触阳极延伸压点、悬空电镀桥，肖特基接触阳极延伸压点通过悬空电镀桥与肖特基接触阳极相连。根据所述制造方法制造的肖特基二极管减小了寄生效应，降低了存在于n+GaAs中的热电子噪声、阳极压点到悬空电镀桥的不连续性、二极管的串联电阻，易于使用倒装焊实现与外围电路的集成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，更具体地，涉及太赫兹肖特基二极管及其制造方法。
技术介绍
太赫兹波指的是频率在O. ITHz IOTHz (波长3mm 30 μ m)范围内的电磁辐射，位于电磁波谱中介于毫米波和红外辐射之间。太赫兹的独特性能使其在通信(宽带通信)、雷达、电子对抗、电磁武器、天文学、医学成像(无标记的基因检查、细胞水平的成像)、无损检测、安全检查(生化物的检查)等领域具有广泛的用途。在大多数太赫兹应用领域中，夕卜差式接收机以其频谱分辨率高、瞬时带宽大、灵敏度高等特点，成为主要的太赫兹信号探测 方式；而太赫兹混频器是外差式接收机中的重要部件之一。在O. 1ΤΗζ-3ΤΗζ范围内，通常采用超导-绝缘-超导结(SIS)、热电子辐射计(HEB)、肖特基二极管等非线性器件作为混频器件，实现太赫兹频段的信号与本振信号进行混频产生中频信号，进而供后续的中频和数字电路进行信息处理。相比于SIS和HEB来说，应用肖特基二极管的混频器件无需制冷环境，从而减小了系统的复杂度，适合于安检、通信、电子对抗等领域的应用；在制冷环境下，混频器的噪声性能可以进一步减小，从而满足天文、对地观测等领域的应用。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太赫兹肖特基二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步骤：在半绝缘砷化镓层(11)上自下而上依次形成高掺杂浓度砷化镓层(12)、低掺杂浓度砷化镓层(13)：第二步骤：在低掺杂浓度砷化镓层(13)上光刻第一欧姆接触图形(121)和第二欧姆接触图形(123)，并腐蚀所述图形区域的低掺杂浓度砷化镓层(13)直至高掺杂浓度砷化镓层(12)；第三步骤：在第一欧姆接触图形(121)上形成欧姆接触金属(23)，在第二欧姆接触图形(123)上形成欧姆接触阴极(22)，欧姆接触金属(23)和欧姆接触阴极(22)的材料相同；第四步骤：在低掺杂浓度砷化镓层(13)上形成具有小孔(211)的二氧化硅层(1...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王昊，
申请(专利权)人：王昊，
类型：发明
国别省市：