一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法技术

本发明专利技术提供一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法，包括步骤：1）于SOI的顶硅层表面形成C掺杂SiGe调制层；2）于所述C掺杂SiGe调制层表面形成SiGe材料层；3）于所述SiGe材料层表面形成Si帽层；4）对上述结构进行氧化退火，以氧化所述Si帽层，并逐渐氧化所述SiGe材料层、C掺杂SiGe调制层及顶硅层，使所述SiGe材料层及C掺杂SiGe调制层中的Ge向所述顶硅层扩散并逐渐浓缩，最终形成顶SiGe层或顶Ge层以及上方的SiO2层；5）去除所述SiO2层。本发明专利技术利用C掺杂SiGe调制层减小SOI顶硅层和外延的SiGe材料层之间的晶格失配，从而减小浓缩过程中缺陷的产生。本发明专利技术所制备的SGOI具有高弛豫、低缺陷密度、高Ge组分等优点。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供，包括步骤：1）于SOI的顶硅层表面形成C掺杂SiGe调制层；2）于所述C掺杂SiGe调制层表面形成SiGe材料层；3）于所述SiGe材料层表面形成Si帽层；4）对上述结构进行氧化退火，以氧化所述Si帽层，并逐渐氧化所述SiGe材料层、C掺杂SiGe调制层及顶硅层，使所述SiGe材料层及C掺杂SiGe调制层中的Ge向所述顶硅层扩散并逐渐浓缩，最终形成顶SiGe层或顶Ge层以及上方的SiO2层；5）去除所述SiO2层。本专利技术利用C掺杂SiGe调制层减小SOI顶硅层和外延的SiGe材料层之间的晶格失配，从而减小浓缩过程中缺陷的产生。本专利技术所制备的SGOI具有高弛豫、低缺陷密度、高Ge组分等优点。【专利说明】—种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法
本专利技术涉及一种半导体材料的制备方法，特别是涉及。
技术介绍
随着硅基大规模集成电路技术的飞速发展，体硅CMOS器件的性能已逐渐接近硅材料的物理极限，沿Moore定律指引的方向进一步提高体娃CMOS器件的性能将面临越来越大的投资和市场风险。半导体产业是一个对产品性能价格比十分敏感的市场。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法，其特征在于，至少包括步骤：1）提供包括硅衬底、埋氧层及顶硅层的SOI衬底，于所述顶硅层表面形成C掺杂SiGe调制层；2）于所述C掺杂SiGe调制层表面形成SiGe材料层；3）于所述SiGe材料层表面形成Si帽层；4）对上述结构进行氧化退火，以氧化所述Si帽层，并逐渐氧化所述SiGe材料层、C掺杂SiGe调制层及顶硅层，使所述SiGe材料层及C掺杂SiGe调制层中的Ge向所述顶硅层扩散并逐渐浓缩，最终形成顶SiGe层或顶Ge层、以及所述顶SiGe层或顶Ge层上方的SiO2层；5）去除所述顶SiGe层或顶Ge层上方的SiO2层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张苗，陈达，狄增峰，薛忠营，叶林，王刚，母志强，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：