一种过饱和掺杂高效异质结电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种过饱和掺杂高效异质结电池，包括晶硅、正电极、从上至下依次位于晶硅背面的非晶硅薄膜、导电薄膜和金属电极，晶硅上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层，正电极位于硅-硒掺杂层上。本实用新型专利技术的优点是电池晶硅上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层，不但能够有效抑制深能级杂质的非辐射复合，减小其对载流子寿命的危害，突破S-Q理论极限，而且背面形成BSF结构，增加长波吸收提高短路电流，从而提高电池的光电转换效率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种过饱和掺杂高效异质结电池，包括晶硅（3）、正电极1、从上至下依次位于晶硅（3）背面的非晶硅薄膜、导电薄膜（6）和金属电极（7），其特征在于：所述晶硅（3）上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅?硒掺杂层（2），所述正电极（1）位于硅?硒掺杂层（2）上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵会娟，张东升，
申请(专利权)人：国电光伏有限公司，
类型：实用新型
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