HIT太阳能电池结构制造技术

本发明专利技术涉及太阳能电池技术领域，特别是一种HIT太阳能电池结构，包括N型硅片基材，在N型硅片基材的受光面具有用于形成异质结的P型重掺杂非晶硅膜，在P型重掺杂非晶硅膜上具有透明导电膜，透明导电膜上具有正面电极，透明导电膜为P型透明导电膜。P型透明导电膜为Ga、As、N共掺杂的ZnO透明导电膜。本发明专利技术的有益效果是：该结构HIT太阳能电池可以在保证光的透过率及高的导电率的同时降低载流子在P型重掺杂非晶硅膜与透明导电膜之间的势垒，提高电池的短路电流密度，从而提高电池的效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，特别是一种HIT太阳能电池结构。
技术介绍
HIT太阳能电池既具有晶体硅太阳能电池的高效率和高稳定性，同时由于制备过程中不存在高温过程，能耗小，工艺相对简单，因此，HIT电池还具有比单晶硅电池更好的温度特性，在高温下也能有较高的输出。因此，HIT电池作为高效率、低成本的太阳能电池，近年来备受人们的关注，已经成为太阳能电池的发展方向之一。目前三洋公司产业化的HIT太阳能电池的效率已达到21%，其实验室效率更是超过了 23%。三星、周星(Jusung)等公司也达到了大于21%的效率。这些HIT均采用正反面对称使用η型的TCO薄膜作为窗口层的设计。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种HIT太阳能电池结构，进一步提高HIT太阳能电池的效率。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种HIT太阳能电池结构，包括N型硅片基材，在N型硅片基材的受光面具有用于形成异质结的P型重掺杂非晶硅膜，在P型重掺杂非晶硅膜上具有透明导电膜，透明导电膜上具有正面电极，透明导电膜为P型透明导电膜。P型重掺杂非晶硅膜上沉积的P型 透明导电膜，可以降低载流子的势垒，增本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种HIT太阳能电池结构，包括N型硅片基材（1），在N型硅片基材（1）的受光面具有用于形成异质结的P型重掺杂非晶硅膜（2），在P型重掺杂非晶硅膜（2）上具有透明导电膜，透明导电膜上具有正面电极（3），其特征是：所述的透明导电膜为P型透明导电膜。

【技术特征摘要】
1.一种HIT太阳能电池结构，包括N型硅片基材(I )，在N型硅片基材(I)的受光面具有用于形成异质结的P型重掺杂非晶硅膜(2)，在P型重掺杂非晶硅膜(2)上具有透明导电膜，透明导电膜上具有正面电极(3)，其特征是所述的透明导电膜为P型透明导电膜。2.根据权利要求1所述的HIT太阳能电池结构，其特征是所述的P型透明导电膜为Ga、As、N共掺杂的ZnO透明导电膜(4)。3.根据权利要求1所述的HIT太阳能电池结构，其特征是所述的N型硅片基材(I)和P型重掺杂非晶硅膜(2)之间具有本征非晶硅膜(5)。4.根据权利要求1所述的HIT太阳能电池结构，其特征是所述的P型透明导电膜与P型重掺杂非晶硅膜(2)之间具有Al2O3薄膜(6)。5.根据权利要求1所述的HIT太阳能电池结构，其特征是所述的A1203薄膜(6)的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆中丹，崔艳峰，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：