太阳能电池及其制造方法技术

技术编号:7662983 阅读:156 留言:0更新日期:2012-08-09 07:44
本发明专利技术公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括基底、半导体层、第一掺杂图案和第二掺杂图案。基底具有适合于接收太阳光的第一表面和背对第一表面的第二表面。半导体层包括形成在基底的第二表面的第一区域上的绝缘图案以及形成在基底的第二表面的其上不形成绝缘图案的第二区域上的半导体图案。第一掺杂图案和第二掺杂图案形成在半导体图案中或形成在半导体图案上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的示例实施例涉及一种太阳能电池和一种制造该太阳能电池的方法。更具体地讲,本专利技术的示例实施例涉及一种背面接触式太阳能电池和一种制造该太阳能电池的方法。
技术介绍
通常来讲,太阳能电池具有接收太阳光的前表面和背对前表面的后表面,并且太阳能电池是利用由太阳光引发的太阳能电池的光伏效应而将太阳光能量转换为电能的能量转换元件。当太阳光入射到太阳能电池时,在太阳能电池的基底的内部可产生电子和空穴,并且随着电子和空穴分别移动到第一电极和第二电极,产生作为太阳能电池的第一电极和第二电极之间的电势差的光伏效应。然后,当太阳能电池接到负载时,电流可流过太阳能电池。例如,太阳能电池可包括形成在前表面上的第一电极和形成在后表面上的第二电极。由于第一电极形成在接收太阳光的前表面上,所以太阳光的吸收率会因其中形成有第一电极的区域而下降。此外,当太阳能电池包括形成在前表面上的第一电极时,太阳能电池还可包括例如收集电子或空穴的P型非晶硅或η型非晶硅以及使非晶硅与第一电极之间进行欧姆接触的透明导电氧化物(TCO)。由于非晶硅和TCO会吸收太阳光,所以入射到前表面中的太阳光的吸收率会下降。因此,本领域需本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴旼锡朴敏李允锡宋南圭李草英全勋夏张然翼
申请(专利权)人:三星SDI株式会社三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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