一种PIN光电探测器芯片制造技术

本实用新型专利技术提供的一种光接收应用的PIN光电探测器芯片，包括外延片与其背面形成欧姆接触的n电极，所述的外延片自n型InP半导体衬底上连续生长：n型InP缓冲层；i型InGaAs吸收层；n型InP过渡层；n型至少三元以上的Ⅲ-Ⅴ族顶层，所述n型InP过渡层中心设有掺杂光敏区和掺杂保护环；位于所述n型InP过渡层上表面依序设有钝化膜层及增透过渡薄膜层；该增透过渡薄膜层的部分表面设有p型电极金属层；另一部分设有绝缘层；该绝缘层表面设有金属遮光层；增透薄膜层设于所述金属遮光层、绝缘层和掺杂光敏区上表面。非光源吸收区的区域采用了金属遮光层和掺杂保护环设计，阻止杂散光产生的光电流进入芯片光电流回路中，从而光信号串扰大大减小。?（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种光接收应用的PIN光电探测器芯片，包括外延片与其背面形成欧姆接触的n电极（1），所述的外延片自n型InP半导体衬底（2）上连续生长：一n型InP缓冲层（3）；一i型InGaAs吸收层（4）；一n型InP过渡层（5）；一n型至少三元以上的Ⅲ?Ⅴ族顶层（6），其特征在于，所述n型InP过渡层（5）中心设有一掺杂光敏区（51）和一掺杂保护环（52）；位于所述n型InP过渡层（5）上表面依序设有一钝化膜层（7）及一增透过渡薄膜层（8）；该增透过渡薄膜层（8）的部分表面设有一p型电极金属层（9）；另一部分设有一绝缘层（10）；该绝缘层表面设有一金属遮光层（11）；一增透薄膜层（12）设于所述金属遮光层（11）、绝缘层（10）和掺杂光敏区（51）上表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨彦伟，陆一锋，梁泽，高国祥，
申请(专利权)人：深圳新飞通光电子技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：