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本实用新型公开了一种过饱和掺杂高效异质结电池，包括晶硅、正电极、从上至下依次位于晶硅背面的非晶硅薄膜、导电薄膜和金属电极，晶硅上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层，正电极位于硅-硒掺杂层上。本实用新型的优点是电池晶硅上表面为掺入过饱和...
该专利属于国电光伏有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过国电光伏有限公司授权不得商用。

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