一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法，该SiC结势垒肖特基二极管包括：N+-SiC衬底；形成于该N+-SiC衬底之上的同型N--SiC外延层；形成于该N--SiC外延层上的肖特基金属接触；形成于该肖特基金属接触之下N-区域中的P型区；形成于该肖特基金属接触边缘处的一个P-型环，该P-型环作为结终端延伸区域；形成于该P-型环上的n个P+型环，n≥2；形成于该n个P+型环间的SiO2钝化层；以及形成于该N+-SiC衬底背面的N型欧姆接触。本发明专利技术提出的SiC结势垒肖特基二极管，能够降低器件表面的峰值电场，有利于提高器件的击穿电压，且通过一次Al离子注入结合刻蚀的方法，避免了多次Al离子注入，器件制备工艺相对简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及。
技术介绍
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料除了具有较宽的禁带宽度外，还具有高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率等优点。因此，以SiC材料制备的电力电子器件具有更高的耐压容量、电流密度和工作频率，可在高频、高温环境中工作，可靠性高、适合苛刻的工作环境等。因此，基于SiC材料的新一代电力电子器件已成为电力电子技术最为重要的发展方向，在军事和民事领域具有重要的应用前景。在SiC的二极管中，肖特基结构的显著优点是开关速度快，属于多数载流子器件，没有反向恢复时间，但在高电压下肖特基势垒退化、反向漏电流大，无法实现高耐压器件。 与肖特基结构比较起来，PiN器件具有更高的耐压，但是反向恢复时间相对较长，正向压降相对较大。而结势垒肖特基结构(JBS)，是将肖特基和PiN结构结合在一起的一种器件结构，通过pn结势垒排除隧穿电流对最高阻断电压的限制，结合了两者的优点。JBS结构相比于肖特基器件，反向模式下泄漏电流更低，阻断电压高。因此，在高速、高耐压的SiC 二极管领域，JBS器件具有极大的优势。为了缓解表面终止的结边缘处的电场集中，提高器件的实际击本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SiC结势垒肖特基二极管，其特征在于，该SiC结势垒肖特基二极管包括：N+?SiC衬底；形成于该N+?SiC衬底之上的同型N??SiC外延层；形成于该N??SiC外延层上的肖特基金属接触；形成于该肖特基金属接触之下N?区域中的P型区；形成于该肖特基金属接触边缘处的一个P?型环，该P?型环作为结终端延伸(JTE)区域；形成于该P?型环上的n个P+型环，n≥2；形成于该n个P+型环间的SiO2钝化层；以及形成于该N+?SiC衬底背面的N型欧姆接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：白云，刘可安，申华军，汤益丹，王弋宇，韩林超，刘新宇，李诚瞻，史晶晶，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，株洲南车时代电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：