【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及高压功率半导体器件领域，具体来说，是一种梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件，适用于大功率整流、逆变续流、以及功率因数校正(PFC)系统。
技术介绍
随着人们生活水平的不断提高，电子产品对于体积、性能、可靠性和成本等方面不断提出新的要求。然而，考虑到硅材料器件阻挡高电压的能力低，许多商业功率器件正接近受硅材料限制的理论极限。在这种形势下，碳化硅技术问世了。碳化硅具有一系列优胜于硅的性质，如数量级更高的击穿电场、三倍的禁带宽度、比硅大三倍的热导率等，这就使得碳化硅高压二极管器件可以显著提高耐压。 碳化硅结势垒肖特基二极管是一种利用反偏PN结的空间电荷区为肖特基二极管承受较高反偏电压，从而可使其适当降低肖特基势垒以保持较低正向压降的复合结构型器件。该复合结构的设计关键是要保证相邻PN结的空间电荷区在反偏压下能够很快接通，在阴极和阳极之间形成比肖特基势垒更高更宽的PN结势垒，使器件耐压更高。而且，当肖特基二极管正向偏置时，PN结也进入正偏状态，但肖特基二极管的开启电压比PN结低，正向电流将通过肖特基势垒接触走PN结之间的肖特基通道，因而正向压降较低...
【技术保护点】
一种梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件，所述梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件为对称结构，包括：N+型衬底（1），在N+型衬底（1）上设有N型过渡外延层（2），在N型过渡外延层（2）上设有N？型外延层（3），在N？型外延层（3）的内部上方设有2个P型结终端（4）和4个等间距的P+型体区（5），且2个P型结终端（4）的内边与邻近的2个P+型体区（5）的外边相抵，在N？型外延层（3）的上表面设有2个场氧化层（6）和金属层（7），所述2个P型结终端（4）的内边界分别与2个场氧化层（6）的内边界对齐，金属层（7）的2个边界分别与2个场氧化层（6）的内边界相抵，其特征在于，P...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘斯扬，杨超，张春伟，钱钦松，孙伟锋，陆生礼，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：
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