【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，更具体地，涉及太赫兹肖特基二极管。
技术介绍
太赫兹波指的是频率在O. ITHz IOTHz (波长3mm 30 μ m)范围内的电磁辐射，位于电磁波谱中介于毫米波和红外辐射之间。太赫兹的独特性能使其在通信(宽带通信)、雷达、电子对抗、电磁武器、天文学、医学成像(无标记的基因检查、细胞水平的成像)、无损检测、安全检查(生化物的检查)等领域具有广泛的用途。在大多数太赫兹应用领域中，夕卜差式接收机以其频谱分辨率高、瞬时带宽大、灵敏度高等特点，成为主要的太赫兹信号探测方式；而太赫兹混频器是外差式接收机中的重要部件之一。在O. 1ΤΗζ-3ΤΗζ范围内，通常采用超导-绝缘-超导结(SIS)、热电子辐射计(HEB)、肖特基二极管等非线性 器件作为混频器件，实现太赫兹频段的信号与本振信号进行混频产生中频信号，进而供后续的中频和数字电路进行信息处理。相比于SIS和HEB来说，应用肖特基二极管的混频器件无需制冷环境，从而减小了系统的复杂度，适合于安检、通信、电子对抗等领域的应用；在制冷环境下，混频器的噪声性能可以进一步减小，从而满足天文、对地观测等领域的应用。...
【技术保护点】
一种太赫兹肖特基二极管，包括：砷化镓半导体衬底(11)；形成在砷化镓半导体衬底(11)上的高浓度掺杂砷化镓层(12)；形成在高浓度掺杂砷化镓层(12)上的低浓度掺杂砷化镓层(13)；形成在高浓度掺杂砷化镓层(12)上的欧姆接触阴极(22)；形成在高浓度掺杂砷化镓层(12)上的欧姆接触金属(23)；形成在所述的低浓度掺杂砷化镓层(13)上的二氧化硅层(14)，在二氧化硅层(14)开有小孔，肖特基接触阳极(21)位于小孔中，肖特基接触阳极(21)与低浓度掺杂砷化镓层(13)接触形成肖特基结；形成在欧姆接触阴极(22)上的欧姆接触阴极压点(25)；形成在欧姆接触金属(23)上的肖...
【技术特征摘要】
1.一种太赫兹肖特基_■极管，包括 砷化镓半导体衬底(11)； 形成在砷化镓半导体衬底(11)上的高浓度掺杂砷化镓层(12)； 形成在高浓度掺杂砷化镓层(12)上的低浓度掺杂砷化镓层(13)； 形成在高浓度掺杂砷化镓层(12)上的欧姆接触阴极(22);形成在高浓度掺杂砷化镓层(12)上的欧姆接触金属(23)； 形成在所述的低浓度掺杂砷化镓层(13)上的二氧化硅层(14)，在二氧化硅层(14)开有小孔，肖特基接触阳极(21)位于小孔中，肖特基接触阳极(21)与低浓度掺杂砷化镓层(13)接触形成肖特基结； 形成在欧姆接触阴极(22)上的欧姆接触阴极压点(25)； 形成在欧姆接触金属(23)上的肖特基接触阳极延伸压点(24)； 形成在二氧化硅层(14)和肖特基接触阳极(21)上的悬空电镀桥(26)，肖特基接触阳极延伸压点(24)通过悬空电镀桥(26)与肖特基接触阳极(21)相连。2.如权利要求I所述的太赫兹肖特基二极管，其特征在于所述太赫兹肖特基二极管还包括形成在高浓度掺杂砷化镓层(12)、低浓度掺杂砷化镓层(13)和二氧化硅层(14)中的沟道(28)，沟道(28)中的高浓度掺杂砷化镓层(12)、低浓度掺杂砷化镓层(13)和二氧化硅层(14)被除去，沟道(28)形状为反锥形，沟道(28)的下表面与砷化镓半导体衬底(11)接触，沟道(28)的上表面与悬空电镀桥(26)接触，沟道(28)的侧面从沟道(28)的下表面相对于砷化镓半导体衬底(11)成预定的角度延伸到上表面，沟道(28)的上表面大于沟道(28)的下表面，沟道(28)在二氧化硅层(14)的部分位于肖特基接触阳极延伸压点(24)与肖特基接触阳极(21)之间并且不与肖特基接触阳极延伸压点(24)和肖特基接触阳极(21)接触。3.如权利要求I所述的太赫兹肖特基二极管，其特征在于肖特基接触阳极延伸压点(24)与欧姆接触阴极压点(25)的厚度相同，肖特基接触阳极延伸压点(24)的上平面和欧姆接触阴极压点(25)的上平面在同一平面。4.根据权利要求I所述的太赫兹二极管，其特征在于肖特基接触阳极是圆柱形或者近圆柱形；欧姆接触阴极(22)靠近肖...
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