【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件领域，更具体地说，本专利技术涉及一种肖特基ニ极管。
技术介绍
在集成电路领域中，肖特基ニ极管相比普通PN结ニ极管具有诸多优势，例如正向压降低，是多子器件，开关速度快等等。同吋，肖特基ニ极管也需要強化或者提高某些方面的性能表现，比如提闻正向电流，降低漏电流，以及提闻击穿电压等等。某些时候，为了提升肖特基ニ极管的某ー项性能，会不得不需要牺牲其他ー些性能。例如，低漏电流的肖特基ニ极管往往正向电流性能不佳。图I所示为现有技术中典型肖特基ニ极管100的剖面图。如图所示，肖特基ニ极管100通常包含ー个P型保护环结构108用于提高击穿电压和降低漏电流。然而，P型保护环108也会带来ー些寄生效应。例 如，当ー个较大的电流流经肖特基ニ极管100吋，P型保护环108的存在可能会产生严重的少子注入效应和PNP晶体管寄生效应，并导致有害的寄生缺陷或发生破坏性故障。因此，低漏电流肖特基ニ极管的正向电流性能受到了限制。
技术实现思路
为了解决前面描述的ー个问题或者多个问题，本专利技术的一个实施例公开了ー种半导体器件。半导体器件包括第一半导体层，具有第一导电类型，其中所述...
【技术保护点】
一种半导体器件，包含：第一半导体层，具有第一导电类型，其中所述第一半导体层形成于一半导体衬底之上，所述半导体衬底具有第二导电类型；阴极接触区，形成于第一半导体层上，其中所述阴极接触区为重掺杂，具有第一导电类型；保护环，形成于所述第一半导体层上，形成一肖特基窗口，其中所述保护环与所述第一半导体层的交界处为保护环界面，所述保护环具有第二导电类型，所述保护环与一保护环接触相连；肖特基二极管金属接触，连接到所述第一半导体层，所述肖特基二极管金属接触与所述第一半导体层交界处为肖特基二极管界面，其中，所述肖特基二极管界面位于所述肖特基窗口内部，并与所述保护环隔开；以及电阻模块，耦接于所...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：约瑟夫·俄依恩扎，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
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